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Silicon推出快速访问小扇区闪存

发布时间:2001年6月14日 点击次数:341
来源:Silicon   作者:
 
    Silicon存储技术公司(SST)是首家在小扇区(128K字节)结构中提供55纳秒访问速度及1毫安待机电流的公司(当典型工作电流为10毫安时)。
    
    大多数闪存分区都在16K字节以上,只要有很小的变化都必须对这些大块的存储单元进行擦写及再编程。SST将4K字节多用途闪存产品改造成29个系列分区更小的产品,用于数字寻呼机及视频游戏。
    
    最先推出的是4M SST29VF040,而后将相继推出512K及1M、2M、8M及16M的闪存。它们都将采用SST为快速擦写而开发的超级闪存技术,用薄氧化工艺制造,可重复擦写100,000次。
    
    这种4M存储器采用32引脚PLCC、8 x 14mm TSOP及32引脚PDIP封装,批量达100,000片时售价2.78美元。2001年5月将推出样品,第三季度量产。


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