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诺发系统有限公司 Booth 5477 |
| 发布时间:2005年2月15日 点击次数:350 |
| 来源:半导体国际 作者: |
诺发系统公司的ALTUS DirectFill氮化钨/钨沉积系统是一套可应用于65纳米及以下规格的触点及过孔填充的单系统解决方案,它能够提高器件性能并降低50%以上的综合系统成本。 ALTUS DirectFill系统通过特有的技术简化了钨沉积工艺,该系统在第一个制程舱中集成了先进的预清洁(pre-clean)工艺 (利用惰性或活性气体) ,在其后的制程舱中使用了诺发公司专利所有的氮化钨(WN)脉冲晶核层(PNL?)沉积技术,而在第三个制程舱中通过PNL技术及化学气相沉积(CVD) 钨插填最终完成钨晶核层的沉积。这种工艺通过在单个系统中完成整个触点填充过程,极大地降低了成本并提高了触点性能与产量。 使用原子层沉积技术(ALD)产生的氮化钨扩散障碍层远比传统的钛/氮化钛层薄,从而降低了每片晶片的障碍层沉积周期,并明显地增大了触点中低阻抗钨的体积 (即传导电流的部分)。使用ALTUS DirectFill 技术的氮化钨扩散层工艺制备的触点阻抗可以降低50%以上。ALTUS DirectFill技术能够增强现有的钨沉积应用如触点及位线等,并使其他的应用如MIM电容电极及金属栅极电极等成为可能,在这些应用中使用氮化钨及钨已处于试验阶段。 该系统目前提供200mm (相当2个ALTUS DirectFill)和300mm (相当3个ALTUS DirectFill)两种配置。
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