为了迎接下一波IC设计的高潮,日本尼康公司(Nikon)近日宣布推出用于32nm节点芯片生产的新型的193nm沉浸蚀刻扫描仪。

　　人们对尼康公司的新型NSR-S610C期待已久。今年二月,尼康就在一次研讨会上披露了NSR-S610C的消息。193nm沉浸的用途是大批量生产45nm半超低(half-pitch)存储器器件及32nm逻辑芯片。

　　尼康公司表示,NSR-S610C能够以足够的量产工艺极限来制造45nm器件的所有关键层。“尽早推出NSR-S610C设备,就可以让我们的客户在45-nm 生产中占据领先地位,”尼康精密设备有限公司总裁Kazuo Ushida说。

　　NSR-S610C的基础是为NSR-609B开发的沉浸蚀刻技术,这是尼康采用1.07 NA透镜为55nm量产开发的第一种沉浸工具,并于2006年一月交付使用。 新型沉浸扫描仪采用1.30数值孔径(NA)兼反射光及折射光的透镜以及尼康公司的四代极化技术Polano。

　　NSR-S610C采用了该公司的前后级和本地填充技术(tandem stage and local fill technologies),前后级技术使系统每小时能够达到或高于130晶圆;对准精度已经提高到6.5nm或更小, 该系统将在2006年底交付使用。
　
　 “我们交付使用第一种0.85 NA透镜、第一种0.92 NA透镜以及第一种高NA系统,并将交付使用第一款1.30 NA系统,”尼康精密设备有限公司首席执行官Geoff Wild说,“我们将使客户能够领先于竞争对手掌握先进的技术,从而赢得市场占有率。”