Intel一直是超紫外线（Extreme ultraviolet，EUV）光刻技术的倡导者和支持者。最近Intel在下一代光刻技术的发展上又迈出了重大一步，再次证明了Intel在半导体公司中的领先地位。Intel在上月上旬宣布该公司成功安装了全世界第一台商业化EUV光刻设备-Exitech公司生产的微曝光设备MET（Micro Exposure Tool）。Intel是全球第一家采用EUV光刻技术的半导体公司。
　　实际上，这一消息并没有让人感到非常吃惊。Intel一直在进行EUV技术的开发：引领EUV LLC的开发、推动相关公司开发相关产品等等。大约一年前，Intel宣布该公司将放弃157nm光刻技术，取而代之的是努力延伸和拓展193nm光刻功能，然后直接进入EUV时代的策略。尽管面临着光源功耗和可靠性等一系列问题，但是Intel仍然非常坚定地向EUV技术努力迈进。
　　Intel公布的消息还披露了该公司研究发展的最新动向和部分细节，并告诉业界该公司正在努力实现EUV技术从实验室研究走向实际试生产的转变。Intel公司元器件研究总监Ken David透露，Intel的目标是在2009年将EUV技术用于32nm工艺的大批量生产。果真如此的话，Intel将比IRTS提前4年实现32nm工艺这一新的里程碑。
　　此外，Intel还介绍了该公司与一些主要设备供应商之间的合作项目，例如与Cymer公司合作开发光源，与Media Lario合作开发光学系统以及与NaWoTech GmbH合作开发电子束掩模版修补设备等。David认为Intel与这些供应商之间的紧密合作是发展EUV技术的坚强基石。他说，“EUV技术的开发需要各种各样的资源。这些供应商并不是与我们合作的老客户，但是新技术的开发需要有各种各样的合作伙伴和合作方式。”
　　Intel目前采用的是XTREME technologies公司提供的EUV光源，但是Intel正在与Cymer合作，准备开发能够满足生产速度要求的新光源。同时，Intel认为在EUV技术中光学系统可能是一种耗材，因此该公司正在和Media Lario合作，努力降低其成本。NaWoTec的电子束掩模版修补设备则与传统的聚焦离子束（FIB）修补设备完全不同，具有更加柔和与精确度更高的优点。
　　MET首先用于Intel的RP1工厂。该设备与全自动track系统（包括光刻胶涂布和显影等）一起，有机地整合在整条生产线中。与EUV LLC开发的ETS系统相比，MET的主要优势之一是其分辨率可以高达30nm，而前者只有70nm。分辨率的提高有助于掩模版缺陷是否可以成像的研究以及光刻胶的开发。此外，MET还具有可控光刻胶供应系统，这一系统对于光刻胶开发来说非常重要，但是ETS却不含类似系统。
　　尽管大部分人认为EUV属于下一代技术范畴，但是Intel将EUV看作是传统光刻技术的延伸。EUV采用了与传统光刻类似的微缩光学系统。目前，MET的缩小比例为5:1，大批量生产时估计会调整成4:1，与目前的光刻系统完全一样。因此，所有提高光刻分辨率的方法都将适用于EUV。
　　与传统光刻技术不同的是，EUV采用的是反射而不是透射曝光方式。由于采用透射曝光时掩模版会吸收EUV光线，削弱其光强，因此EUV掩模版与传统光刻掩模版的最大区别在于EUV定义图形时是通过反射而不是透射实现的（见下图）。Intel一直在努力尝试自己制造EUV掩模版。目前，Intel已经建立起一套EUV掩模版试生产线，其中包括已经商业化的EUV掩模版制造设备、NaWoTec电子束掩模版修补设备和日本Lasertec公司提供的掩模版检查设备等。Intel的EUV掩模版制造工艺与光学掩模版基本类似。