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| 导航:老古开发网首页→文章索引 →文章分类→半导体 →第11页 |-文章搜索- 最新文章 -| | ||
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| 1.日美主导GaAs组件制造市场 简介: 砷化镓(GaAs)组件的设计与制造，曾被视为是欧洲组件厂商压倒日本和美国竞争对手的良机。但市场研究机构Strategy Analytics发布的十大GaAs组件制造商排行榜里，却没有半家欧洲厂商;不过随着Filtronic在今年可能榜上有名，上述情况也许会改变。 &nb ...... | 2006年9月15日 | 466 |
| 2.中芯国际Fab 8厂预计明年完工,研发中心届时搬回上海 简介: 据了解，中芯国际兴建中的上海Fab 8厂预计2007年中期完工，研发中心在计划完工后，从北京12英寸厂搬回上海，协助新建成的Fab 8厂投入先进工艺开发，目前初步规划将以65纳米以下先进工艺为主，有可能成为中芯众多晶圆厂中，技术最先进的厂房。 中芯8日于上海举办年度技术研讨会， ...... | 2006年9月15日 | 598 |
| 3.欧姆龙携手NHK,共谋光耦合器业务 简介: 日本欧姆龙公司(Omron Corp.)已经与NHK Spring Co. Ltd.达成初步协议，收购后者的FTTH光耦合器业务。预计这项交易将于11月1日完成，具体的协议条款目前尚不得而知。在2005财年，NHK Spring的总体销售额为13亿日圆。 & ...... | 2006年9月15日 | 595 |
| 4.WACKER SILICON展出有机硅凝胶产品 简介: WACKER SILICON业务部门在日前深圳举行的第十二届华南国际电子生产设备暨微电子工业展(Nepcon South China)上展出了有机硅凝胶产品WACKER SilGel 612。这是一种透明的很软的硅橡胶，能够为敏感的微电子器件提供防潮和防腐的可靠保护，例如太阳能电池，各类传感器或汽车电子元件，光电子元件等。 ...... | 2006年9月15日 | 450 |
| 5.力旺电子OTP IP获硅佳0.18微米工艺验证 简介: 日前,马来西亚硅佳(Silterra)与力旺电子(eMemory)共同宣布，力旺的Neobit系列OTP IP，已完成Silterra 0.18微米工艺(CL180G与CL180H CMOS)验证。目前双方准备进行0.13微米工艺(CL130G)的验证合作。   ...... | 2006年9月15日 | 253 |
| 6.Vishay推出新型表贴电阻器 简介: Vishay Intertechnology公司日前宣布推出一款新型表面贴装Power Metal Strip电阻器，该器件据称是业界首款采用超小型1206封装的1W电流感应电阻器。WSLP1206电阻器具有2mΩ～50mΩ的超低电阻值范围，并且能够耐170℃的高温。 ...... | 2006年9月15日 | 259 |
| 7.应用材料宣布投入太阳能光电设备市场 简介: 据报道，美商应用材料(Applied Materials)宣布投入快速发展的PV太阳能光电设备市场，提供电池生产商相关技术和服务，以帮助其生产出更大能量的电池。应材将提供一套结合平面显示器和半导体制程技术的制造工具、技术以及流程创新方法，协助电池生产商提高转换效率和产量，并帮助太阳能电池用户降低总体成本。   ...... | 2006年9月15日 | 308 |
| 8.Gartner发布最新封测报告,预计07年供过于求 简介: 研究机构Gartner日前发表最新封测产业调查报告，该机构副总裁Jim Walker指出，就整体半导体大厂资本支出观察，2006年以存储器封测业的增长速度最快，依过去封测业景气进入3年见一高点的循环模式，他发出警语，存储器相关产业资本支出将于2006年达到高峰，2007年持续增加，幅度虽有趋缓，然恐会出现供过于求的疑虑，提 ...... | 2006年9月15日 | 224 |
| 9.清洗室 简介:582系列垂直流体硬壁清洗室具有模块化的壁板，固定在一起形成壳，紧密的栅格结构附在壳上，形成内部清洗顶板。紧密地顶板栅格结构采用互连的T形条，提供了足够的强度支撑过滤器、灯架、面板。HEPA-N-SEAL负压安全密封确保无气漏。 Clean Air Products, Minneapolis, www.cleanairproducts.com. ...... | 2006年9月15日 | 442 |
| 10.SanDisk遭起诉,收购受阻 简介: 日前，NAND闪存存储卡供应商SanDisk公司在提交给美国证券交易委员会的报告中表示，由于对M-Systems收购一事，该公司已遭到两起诉讼。 加州高等法院受理了这两起诉讼，提起诉讼的Dashiell和Capovilla都表示要代表M-Sy ...... | 2006年9月15日 | 397 |
| 11.SiGe半导体推出超薄功放,具有良好集成度和功耗 简介: SiGe半导体(SiGe Semiconductor)宣布推出全球最纤薄的Wi-Fi系统功率放大器RangeCharger SE2523BU，采用侧高仅为0.5mm如纸张般纤薄的全新封装，集成了SiGe半导体性能和高功效技术。这种超薄设计更可降低25%的功耗，适合于把Wi-Fi功能嵌入到以电池供电的便携式消费电 ...... | 2006年9月14日 | 528 |
| 12.爱普科斯推出铁氧体新材料 简介: 爱普科斯(EPCOS)推出一种可大幅降低开关式电源待机损耗的铁氧体新材料——N51。过去常用的铁氧体只是在70～120℃温度范围内损耗最低。因此，为降低损耗，铁氧体常被设计工作在满负荷状态下。然而，如果电源工作负载非常低或根本就没有加载负载，那幺铁氧体就不会升温，则电源的能量损失就主要取决于铁氧体材 ...... | 2006年9月14日 | 308 |
| 13.现代增资Hynix-ST，欲建300mm晶圆线 简介: 据报道，韩国芯片制造商现代半导体公司日前表示，计划在中国无锡它和意法半导体公司的合资企业Hynix-ST半导体公司中增加7.5亿美元资金投资。 现代半导体公司发言人表示，2004年现代半导体公司和意法半导体公司确定在中国无锡建立合资公司。它们计划在明年六月底之前增加合资公司的储存晶圆生产线的资金投资。这些资金是长 ...... | 2006年9月13日 | 505 |
| 14.DEK开发出大量成像解决方案,提高生产率 简介: DEK新开发出一种可提高生产率的大量成像解决方案SinguLign，能以单一基板(singulated substrate)或组件直接利用载具进行锡膏、锡球、助焊剂和胶剂等多种材料的高精度大量成像印刷，从而让现有零件的精确处理尺寸降至20mm。   ...... | 2006年9月13日 | 656 |
| 15.光刻专家评选浸没式和EUV光刻技术 简介: 根据5月份在温哥华举行的受邀光刻技术论坛披露的报告，最新发布的国际半导体技术蓝图(ITRS)中，半导体厂商和供应商就光刻的前景和未来达成了普遍的共识。对各项最新的光刻技术的研究表明，193纳米浸没式光刻技术将成为量产45纳米节点产品的首选，而EUV（极紫外）光刻技术将在32纳米节点上大展拳脚。 同时，Semiconductor International和Sematech密切合作共同在 ...... | 2006年9月13日 | 669 |
| 16.AMI携手ABT，共同开发130nmASIC工艺 简介: 日前AMI半导体(AMIS)宣布，Anchor Bay Technologies (ABT)将与其一同开发130nm标准单元(standard cell) ASIC制程，为具备降低影像杂讯功能的视讯scaler/de-interlacer晶片提供SoC/ASIC支援。ABT曾开发获奖的DVDO视讯处理技术。 &nb ...... | 2006年9月12日 | 465 |
| 17.台积电加大投资，意在ASIC和CMOS图像传感器 简介: 晶圆代工巨头台积电(TSMC)以风险投资方的身份最近增大了对两家台湾地区企业的投资：创意电子(Global Unichip Corp.)和采钰科技股份有限公司(VisEra Technologies Co. Ltd.)。 为了促成创意电子在台湾地区股票交易市场的上市发行，台积电董事会表示已批准拥有这 ...... | 2006年9月12日 | 454 |
| 18.SEMI：Q2全球半导体设备强势增长 简介: 半导体行业协会SEMI日前报道，2006年第二季度世界范围半导体制造设备营业额达到了95.9亿美元，仅比第一季度高0.2%，比2005年同期增长约27%。 SEMI指出，数据收集在日本半导体设备协会（SEAJ）协助下完成，目标遍及全球150多家半导体 ...... | 2006年9月12日 | 367 |
| 19.落水山鸡变凤凰—193nm浸入式光刻技术之回顾与展望 简介: 随着芯片特征尺寸的持续缩小，IC制程的革新上演着一幕幕改朝换代的传奇故事。轻松的如铜互连PK铝互连，艰难的有Low K、High K材料部分替代SiO 2 。其中最富戏剧性的莫过于193nm光刻技术对157nm光刻的绝地大反击。2002年以前，业界普遍认为193nm无法延伸到65nm制程，而157nm将成为主流技术。而如今浸入式光刻不但帮助193nm重拾信心并成功延伸至65nm制程，且193n ...... | 2006年9月12日 | 526 |
| 20.中国浅沟槽隔离技术的专利调查分析 简介: 中国半导体企业目前对于如何借鉴、应用现有专利技术来节约研发成本、缩短研发周期、避免专利侵权等问题还没有很深刻的认识。为了让更多企业能够借鉴已公开的专利技术，了解行业核心技术和其他企业的技术部署，北京市集佳律师事务所上海分所，对浅沟槽隔离技术（STI）中国专利申# ...... | 2006年9月12日 | 317 |
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