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| 1.采用无铅SOD-323封装的经济型PIN二极管 简介: 生产商： 安华高科技 Avago Technologies 产品说明： 该高性能、经济型PIN二极管采用无铅SOD-323（小型二极管)塑料封装，这种两个管脚的SOD-323的封装尺寸仅为1.7mm×1.25mm×0.95mm，比三引线SOT-23（小型晶体管）和SOT-323封装还要小。 新推出的PIN二极 ...... | 2006年3月9日 | 324 |
| 2.新型高速转换器工作频率高达1MHz 简介: 生产商： Vishay Intertechnology 产品说明： 该新型高速转换器（SiC714CD10 及 SiC711CD10）将控制 MOSFET、同步 MOSFET 及驱动电路整合到了一个超薄的高性能 PowerPAK MLF 10x10 封装中。简化了单相及多相直流到直流设计流程，并且提供了比分立解决方 ...... | 2006年3月8日 | 242 |
| 3.用于专业音频放大的功率输出晶体管 简介: 生产商： 安森美半导体 ON SEMICONDUCTOR 产品说明： ThermalTrak音频输出晶体管系列采用ThermalTrak专利技术，消除累积预热时间，能快速精确地调整偏置。实时温度检测让设计人员更精确地监控工作温度，提高音质和偏置稳定性。该器件系列无需输出驱动补偿电路和昂贵的人手偏置调整，大大简化了放 ...... | 2006年3月1日 | 339 |
| 4.ThermalTrak系列功率输出晶体管可消除热滞后 简介: 生产商： 安森美半导体 ON SEMICONDUCTOR 产品说明： ThermalTrak系列输出晶体管具有内部偏置控制的独特功能，可用于高端和具成本优势的消费电子音频应用及大功率专业声音系统，提高整体音质，简化设计，采用标准尺寸5引脚TO-264封装。 音频输出晶体管采用ThermalTrak专利技术，消 ...... | 2006年2月17日 | 277 |
| 5.UMC携手IMEC，将IMEC的Europractice IC服务扩展至联华电子90纳米工艺 简介:台湾地区的联华电子(UMC)与欧洲最大的独立纳米电子研究中心IMEC日前共同宣布，双方将携手将IMEC的Europractice IC服务扩展至联华电子90纳米工艺技术。 多年以来，联华电子与Europractice一直致力于将联华电子硅梭计划——多重晶圆测试方案(MPW)的原型产出与制造服务，提供给欧洲的公司与学术机构。欧洲地区具有小量生产需求的公司与机构，例如大 ...... | 2006年2月17日 | 234 |
| 6.未来五年，芯片市场呈适度增长后紧缩趋势 简介: In-Stat日前发布报告，预计未来五年内，基站的半导体元器件市场在经历2005年到2007年适度增长后，将出现略微的紧缩。总体来看，虽然未来几年手机语音和数据应用的需求十分旺盛，但并未给芯片制造商带来更高收入。 In-Stat分析师Allen Nogee表示，基站元器件制造商不断被强制降低元器件的价格。同时，随着每网卡通道数量的增加和整体网络架构的缩小，基站密度也在不断增加。 ...... | 2006年2月17日 | 264 |
| 7.英特尔65纳米芯片广泛采用铜柱块凸接合，实现技术领先 简介: 半导体芯片与系统反向工程与分析厂商Chipworks日前对英特尔65纳米Presler及Yonah处理器进行分析并宣布发现，微处理器中广泛应用了铜柱块凸接合技术(Copper Pillar Bumping “CPB”)，把钢模连接到印制线路板。 Chipworks技术情报经理Gary Tomkins先生表示：“65纳米包含的硅片处理技术及延展硅是一 ...... | 2006年2月17日 | 235 |
| 8.英特尔发布首款45纳米工艺芯片，晶体管密度翻倍，功耗降三成 简介: 英特尔公司日前宣布制造出首款采用45纳米生产工艺的芯片，并初步披露45纳米工艺细节。表示与65纳米工艺相比，最新的45纳米技术在晶体管密度上提高了两倍，达到10亿个，开关速度提高了20%，而功耗却降低三成。 据称，英特尔的45纳米工艺被命名为P1266，集成了铜互连(copper interconnects)、低K介电系数、应变硅(strained silicon)和技术特性。该公司 ...... | 2006年2月17日 | 264 |
| 9.NEC采用浸入式光刻开发出55纳米工艺，预计2007年量产 简介: NEC电子公司日前宣布开发出名为UX7LS的55纳米节点工艺，采用了浸入式光刻(emersion lithography)和更高介电常数材料。该公司声称，该工艺可提供比65纳米工艺在操作和待机模式下低十分之一的功耗。 该公司先进器件开发部总经理Takaaki Kuwata表示，“UX7LS是对65纳米工艺的改进版本。通过将65纳米工艺技术与高K薄膜结合，我们开发住了极限低 ...... | 2006年2月17日 | 255 |
| 10.06年纯晶圆代工市场预计将增长32%，中芯国际跻身“四大” 简介:据市场调研公司IC Insights，预计2006年纯晶圆代工市场将比2005年增长32%。2006年全球半导体产业预计增长8%。显然，晶圆代工市场的增长高于总体IC产业增长。 IC Insights定义的“纯晶圆代工厂商”是指不提供大量自行设计的IC产品，而专注于为其它公司生产IC的厂商。总体来看，预计从2005到2010年的这五年间，纯晶圆代工销售额的复合年增长 ...... | 2006年2月16日 | 230 |
| 11.光敏可控硅器件具备低触发电流 简介: 生产商： Vishay Intertechnology 产品说明： 光敏可控硅组件系列产品具备1.6mA触发器以及高于5kV/us的静态dV/dt，采用6引脚DIP封装的新型过零(ZC)及非过零(NZC)光敏可控硅耦合器，则可在工业应用中切换交流电负载以及驱动更大的SCR或TRIAC。 新型ZC VO415 ...... | 2006年1月28日 | 366 |
| 12.印度将在今年年底拥有第一座半导体封测厂 简介:到2006年年底，印度将会拥有自己的第一座半导体封装测试(assembly-test-mark-pack, ATMP)工厂，这是SemIndia在印度建立半导体制造产业链的第一步。据悉，这座新工厂将为AMD提供该公司在印度的半导体封装和测试。 SemIndia主席、总裁兼首席执行官Vinod K. Aggarwal表示：“AMTP工厂是我们使印度向半导体制造基地迈进的第一步。&# ...... | 2006年1月26日 | 302 |
| 13.光刻机 简介:MA200Compact光刻机，适用于FAB中的光刻生产，功能更强大，结构更紧凑，精度更高。该设备不仅综合了SUSS 成熟的光刻、涂胶、显影技术，同时又融入了如DirectAlign®等新技术。DirectAlign®技术目前正在申请专利，它能确保3 Sigma在 0.5微米精度的情况下，扩展光刻工艺窗口，实现多种应用，如厚胶MEMS、硅片级封装、或者通讯器件。这些SUSS&nbs ...... | 2006年1月26日 | 395 |
| 14.紫外热处理量产系统 简介:SOLA是半导体业界首套用于先进介电薄膜材料淀积后处理的紫外热处理（UVTP）量产系统，可独立控制各处理平台紫外光强度、温度和处理时间，专为300mm大批量生产而设计。它具有无可比拟的工艺可调性，可以解决多种薄膜的各种应用难题，包括晶体管水平高应力氮化硅薄膜（HSN）和互连层致密性或多孔性低–k介电材料。通过将紫外光与热处理结合，SOLA可以使薄膜材料的淀积后处理在较低温度下进行，这是 ...... | 2006年1月26日 | 234 |
| 15.热交换器 简介:NesLab SWX100系列的热交换器，无氟环保，型号具有中、高温可供选择， 3倍超长寿命的去离子过滤器，以及能耐受长时间运行的优点，能满足蚀刻, 沉积, 化学机械抛光, 物理气相沉积,化学气相沉积, 高密度等离子, 测量和溅射等工序设备的应用，广泛应用于200毫米和300毫米的晶圆制造中。安装简单，维护容易，提供遥控操作和与系统数据交换功能，系统微机的菜单式操作设计，使设备的程序设定能一次完成 ...... | 2006年1月26日 | 263 |
| 16.IBM索尼东芝结盟挺进32纳米工艺，研发总计4亿美元 简介: IBM、索尼以及东芝(Toshiba)日前宣布结盟，开始一项为期5年、有效期截至2010年12月的芯片技术合作开发计划。作为这次半导体研发联盟的一分子，三家公司将共同进行基础研究工作，涉及32纳米节点以及更高的工艺技术。 在过去的5年中，这三家公司已经在"Cell"微处理器设计方面进行了技术合作，并正在开发90纳米和65纳米处理工艺的绝缘硅(SOI)技术。 其实，东芝公司已和多家 ...... | 2006年1月26日 | 267 |
| 17.富士通着手建造第二座300mm晶圆厂，进行65nm逻辑产品量产 简介:In order to accommodate increasing demand for semiconductors produced using advanced processes along with optimized solutions and high-performance products based on leading-edge technologies, Tokyo-ba ...... | 2006年1月26日 | 261 |
| 18.2006年半导体设备产业稳步向前，材料市场大增长 简介:While they may differ in the details – how much or when, and so forth – market researchers at this year''s SEMI Industry Strategy Symposium (ISS) held in Half Moon Bay, Calif. agree that t ...... | 2006年1月26日 | 422 |
| 19.美国放松半导体设备对华出口政策 简介:美国政府的一名官员日前表示，美国在简化其IC制造设备对华出口政策方面正在稳步推进，但仍然“有改善的余地”。 多年来，美国半导体制造设备厂商一直抱怨，由于美国实行过时并生硬繁琐的出口控制法规，他们在对华出口芯片设备方面与对手相比处于劣势。美国厂商还表示，授权流程过于缓慢和繁琐。 对于美国决策者来说，中国大陆确实是一柄双刃剑。一方面，中国大陆为企业提供了巨大的商业机 ...... | 2006年1月26日 | 403 |
| 20.赛灵思与联电宣布扩展其长期战略合作关系至65nm工艺 简介:赛灵思公司与半导体代工厂商联华电子(UMC)日前宣布，将其长期战略合作关系扩展至包括65nm及更精密工艺的技术开发。 为了准备制造下一代赛灵思FPGA，双方通过联合研发已经在联华电子在台湾地区的台南300mm加工厂制造出65nm原型晶圆，其中包括实际可编程逻辑电路。此外，两家公司还宣布已进入将来开发45nm FPGA的前期工艺定义阶段。 十多年以来，赛灵思一直依靠联华电子作为其可编程芯 ...... | 2006年1月19日 | 251 |
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