|
|
|
|
|
| 导航:老古开发网首页→文章索引 →文章分类→半导体 →第1页 |-文章搜索- 最新文章 -| | ||
| 标题 | 加入时间 | 点击次数 |
| 1.Entegris新型过滤产品可满足65nm/45nm工艺需求 简介: Entegris宣布推出其全新Intercept Plus HPM过滤产品。该公司表示，Intercept技术已获专利，是半导体产业中唯一采用双效微粒捕获技术的过滤器，能使微粒截除效果极大化，缩短工艺启动时间，改善工艺能力，并降低芯片缺陷。 该种甫发表可提高良率的技术，主要用于先进的HF及BOE(氢氟酸/缓冲氧化层蚀刻)工艺。Intercept Plus HPM技术所提供极其洁净的产品，适 ...... | 2006年11月12日 | 441 |
| 2.NEC开发出晶圆级封装技术,支持3D互连 简介: NEC电子公司近期开发出一种晶圆级封装技术，据称可在图像处理系统所用的逻辑和存储器裸片之间，允许超过1,000个的三维(3D)互连。该公司称，这些连接能够支持高达100Gbps的传输速率，而且可以降低功耗。该方法可用于高端手机、视频游戏机或数字电视之中，NEC电子美国公司的专用系统级芯片策略业务部总监Steven Kawa ...... | 2006年11月6日 | 516 |
| 3.Fairchild推出新型MicroFET系列产品 简介: 快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出11种新型MicroFET MOSFET产品，提供散热快、极小化、扁平的(2x2x0.8mm)组件，支持30V和20V以下的低功耗应用，包括行动电话、数字相机、游戏、远程POS终端，以及其它大量生产的可携式产品。 ...... | 2006年11月6日 | 371 |
| 4.欲转向55nm技术,台积电领跑代工业 简介: 据报道，台积电（TSMC）目前正在计划加大其研发力度以保持其在晶圆制造中的领先优势,为避免在90nm和65nm中与竞争对手正面冲突,他们正计划于转向55nm技术以取得在竞争中的领先地位。TSMC的55nm计划将应用于显示核心及主板芯片组的生产。 目前，在显示核心方面，8 ...... | 2006年10月25日 | 387 |
| 5.300mm金属CVD系统 简介: Tokyo Electron Ltd.最新的300mm金属化学气相沉积(CVD)系统，可以实现Ti/TiN薄膜的低温制程。Trias LT Ti/TiN设备基于TEL的Trias平台，满足了制造过程中的低温制程要求。该系统整合了增强型喷头设计，可以在一个较宽泛的温区内实现圆片温度控制。通过采用TEL独特的制程技术和整合喷头设计，Trias LT实现了势垒金属接替覆盖的低接触电阻和减少连接线遗漏的 ...... | 2006年10月25日 | 421 |
| 6.江苏大全与重庆合作,进军多晶硅材料市场 简介: 据报道，江苏大全集团日前大举切入太阳能光伏上游——多晶硅，其与重庆万州区合作，总投资5亿美元、年产6000吨太阳能级和电子级多晶硅工厂 ...... | 2006年10月25日 | 440 |
| 7.海力士:07年DRAM市价稳定,无锡厂将量产NAND Flash 简介: 全球第三大DRAM暨NAND型Flash供应商韩厂海力士（Hynix）策略计划资深副总裁O. C. Kwon日前接受路透（Reuters）专访表示，在全球DR ...... | 2006年10月24日 | 382 |
| 8.Spansion1.5亿美元向富士通出售老厂 简介: AMD和日本富士通合资企业闪存芯片制造商Spansion公司宣布，它已经和富士通签署了最终协议，将以1.5亿美元的价格向富士通出售它在日本Aizu-Wakamatsu的JV1 和 JV ...... | 2006年10月24日 | 387 |
| 9.对抗AMD,英特尔90亿美元打造45纳米芯片基地 简介: 在全球计算机微处理器市场，英特尔和AMD正在进行着针锋相对较量。目前，AMD公司65纳米制造工艺的Barcelona  ...... | 2006年10月24日 | 413 |
| 10.飞兆半导体推出新MOSFET器件,采用DPAK封装 简介: 日前,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出新的低导通阻抗600V SuperFET MOSFET&# ...... | 2006年10月15日 | 453 |
| 11.英特尔：以领先的硅技术引领高能效表现新时代 简介: 在美国旧金山举行的2006年秋季英特尔信息技术峰会（ IDF）上，英特尔公司总裁兼首席执行官保罗.欧德宁（Paul Otellini）概述了公司加速技术领先性的计划，并向与会的数千名开发者和工程师表示：处在一个高能效计算的时代，硅技术的进步将带来全新的性能突破。欧德宁同时透露，英特尔将在11月份交付世界上第一个面向PC和通用服务器的四核处理器。同时，他还提供了关于英特尔业界领先的65纳米和45纳 ...... | 2006年10月15日 | 363 |
| 12.胜光与策略伙伴于美国IDF再度展出燃料电池参考设计 简介: 身为英特尔(Intel) Mobile PC EBL工作小组一员的燃料电池技术供货商胜光科技(Antig)，继本月初于德国柏林IFA联同策略伙伴南亚电路板、奇鋐科技、思柏科技联合展出可携式电子产品的燃料电池系统参考设计BEGINI后，再次共同于9月26~28日举行的美国英特尔秋季科技论坛(IDF)展出。 ...... | 2006年10月15日 | 488 |
| 13.英特尔：45nm制程2007下半年进入量产 简介: 英特尔(Intel)总裁暨执行长Paul Otellini日前在英特尔科技论坛(IDF)中阐述了该公司在硅晶技术方面的进展，宣布该公司的45奈米制程将依照原定计划于2007下半年迈入量产阶段，并透露目前英特尔共有15款针对桌上型、笔记型与企业平台的45奈米制程产品正在开发中，首款组件可望在今年第四季完成设计。 英特尔已对45奈米制程投入了超过90亿美元的资金，目前其45奈米厂共有超过50万 ...... | 2006年10月15日 | 358 |
| 14.发光二极管封装结构及技术 简介:摘 要：本文介绍了发光二极管的多种形式封装结构及技术，并指出了其应用前景。 关键词：发光二极管;封装;高亮度 1 引言 LED是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件，具有工作电压低，耗电量小 ...... | 2006年10月15日 | 1300 |
| 15.半导体材料研究与开发 简介:一、半导体材料的发展历程 新型半导体材料的研究和突破，常常导致新的技术革命和新兴产业的发展。以氮化镓为代表的第三代半导体材料，是继第一代半导体材料（以硅基半导体为代表）和第二代半导体材料（以砷化镓和磷化铟为代表）之后，在近10年发展起来的新型宽带半导体材料。作为第一代半导体材料，硅基半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个计算机产业的 ...... | 2006年10月15日 | 1110 |
| 16.KLA-Tencor新型Puma晶圆检测系统针对65/45纳米节点 简介: 近日,KLA-Tencor推出其Puma系列的最新一代Puma 91xx暗视野图样晶圆检测系统，据称生产能力可较前一代Puma 9000系统提高两倍，并维持相同甚至更良好的灵敏度。该公司声称，这套设备主要针对65纳米节点，但它将同样适用于45纳米节点，能保障客户的投资。   ...... | 2006年10月14日 | 367 |
| 17.电子测量三强共建实验室,面向纳米级高速IC 简介: 电气测量公司Cascade Microtech公司日前宣布与飞利浦的MiPlaza研究中心及Agilent Technologies公司签署一项合作协议，三方将在荷兰埃因霍温共建一个电子测量实验室。 该实验室将开发面向下一代无线系统的复杂的纳米 ...... | 2006年10月14日 | 328 |
| 18.Elke Eckstein加盟AMD任Fab 30晶圆厂副总裁 简介: AMD公司宣布Elke Eckstein已加盟公司，任Fab 30晶圆厂副总裁，向德国德累斯顿的AMD晶圆厂公司级副总裁兼总经理Hans Deppe汇报工作。在新职位上，Eckstein将全面负责AMD Fab 30晶圆厂的日常运营，以及监督300毫米晶圆生产技术改造，改造后将成为Fab 38晶圆厂。 Deppe说 ...... | 2006年10月13日 | 384 |
| 19.日美半导体设备订单出货比均呈下降趋势 简介: 根据日本半导体设备协会(SEAJ)日前发布的初步数据，日本半导体设备制造商2006年7月 订单出货比为1.30，低于2006年6月水平。SEAJ的订单出货比采用三个月的移动平均值，计算日本半导体设 ...... | 2006年10月13日 | 356 |
| 20.立足于半导体设备自动化,Brooks、安川组建合资企业YBA 简介: 帮助半导体及其他复杂行业实现高效生产的Brooks Automation, Inc.今天宣布，该公司已经于2006年9月21日正式开始运营其与安川电机(Yaskawa Electric)共同组建的日本合资企业。先前公布的合资企业名为Yaskawa Brooks Automation(简称 YBA)，由 Brooks和总部位 ...... | 2006年10月13日 | 374 |
| (1009条/共51页) 首页 [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] 下十页 尾页 | ||
|
|