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| 导航:老古开发网首页→文章索引 →文章分类→存储器 →第8页 |-文章搜索- 最新文章 -| | ||
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| 1.高速双口RAMIDT7026的原理和应用 简介: 摘要： IDT7026是美国IDT公司开发研制的高速16k×16bit的双口静态RAM。它可允许两个端口同时进行高速读写数据，内含主/从控制脚，并具有标识器功能。文中介绍了IDT7026的内部组成、功能及原理，并给出具体的应用电路框图。 ...... | 2006年5月19日 | 448 |
| 2.FIFO存储缓冲芯片IDT7203的原理及应用 简介: 摘要： 文章详细介绍了IDT公司生产的新型先进先出异步CMOS FIFO存储寄存器芯片IDT7203的组成结构、功能原理和运行方式，分析了它的字长和字深的扩展方法。给出了IDT7203芯片在虚拟示波器硬件系统设计中的应用方法。 ...... | 2006年5月19日 | 1082 |
| 3.基于X24C45芯片的非易失性数据存储设计 简介: 摘要： 介绍了一种设计思想独特的非易失性存储器X24C45，其特点是能满足频繁更新数据和快速存取数据的需求。强调了在硬件设计时应特别注意的问题，给出了有关该芯片操作的编程实例。 &nb ...... | 2006年5月19日 | 471 |
| 4.SPI串行Flash在数据存储系统中的应用 简介: 摘要： ATMEL公司生产的串行Flash AT45系列存储器的容量已达到了16Mb，常用于数据存储系统。文中以AT45D041为例，详细介绍了该系列Flash存储器的命令集以及串行SPI接口的应用方法，并给出了相应的模式时序。 ...... | 2006年5月19日 | 972 |
| 5.基于SCSI总线的超高速实时图像数据存储系统 简介: 摘要： 超高帧频实时图像的长序列采集存储一直是难于解决的问题。本文基于SCSI总线的理论体系，提出一种新的图像数据采集存储系统的技术方案和体系结构，并设计出一种超高速、数字化、嵌入式系统样机。试验结果表明在多通道同时使用的情况下，采集与存储速率达到了100Mb/s，满足了1000帧/s的黑白数字图像直接存硬盘技术需要，验证了此系统的有效性。 ...... | 2006年5月19日 | 280 |
| 6.AT28C系列EEPROM中数据的保护 简介: 摘要： 并行EEPROM存贮器在工业现场使用时，有时由于会受到较大干扰则可能导致其存贮在EEPROM中的数据内容发生改变或丢失。文中介绍了并行EEPROM受干扰而丢失数据的原因，介绍了ATMEL公司AT28C系列EEPROM的结构、特点和性能，详细阐述了该EEPROM卓越的硬件和软件数据保护（SDP）功能，最后给出了SDP算法和部分C51程序。 ...... | 2006年5月19日 | 717 |
| 7.FLASH存储器的在系统编程及其在DSP系统中的应用 简介: 摘要： ATMEL公司生产的串行Flash AT45系列存储器的容量已达到了16Mb，常用于数据存储系统。文中以AT45D041为例，详细介绍了该系列Flash存储器的命令集以及串行SPI接口的应用方法，并给出了相应的模式时序。 ...... | 2006年5月19日 | 443 |
| 8.基于非IDE专用接口芯片的自主型光盘复制机的系统设计 简介: 摘要： 基于非IDE专用接口芯片（MCU、DMA、SRAM、CPLD等组成）的光盘复用制机的系统设计;着重对系统功能、整体设计原理、硬件结构和软件实现等问题进行了描述;对光盘的存储和读写技术作了相应的介绍。 ...... | 2006年5月19日 | 300 |
| 9.PCI-PCI桥在线读写EEPROM的技巧 简介: PCI-PCI桥启动时，一般需要从EEPROM预读取配置数据。更改EEPROM中的数据一般需要专用的烧结器，这给调试过程带来不便。尤其是采用表贴封装的EEPROM。本文以Intel公司的Dec21554PCI-PCI桥为例，介绍一种在线读写EEPROM的方法。 EEPROM选用的是ATMEL公司生产的AT93LC66，4Kbit，按512×8bit组织。AT93LC ...... | 2006年5月19日 | 527 |
| 10.DDRSRAM与HSTL电平标准 简介: 摘要： DDR技术和HSTL电平标准是近年来出现的高速数据传输技术，结合实际课题探讨应用了这两种技术的DDR SRAM器件的具体使用。 &n ...... | 2006年5月19日 | 505 |
| 11.基于闪烁存储器的TMS320VC5409DSP并行引导装载方法 简介: 摘要： 闪烁存储器Am29LV400B的主要特点及编程方法;通过把FLASH的前32K映射到DSP TMS320VC5409的数据空间，按照自举表（Boottable）的格式在FLASH中存储程序代码，由DSP引导装载（Bootloader）程序实现了FLASH的16位并行引导装载;结合实例介绍了该引导装载方法的实现过程。 ...... | 2006年5月19日 | 327 |
| 12.大容量串行FlashMM36SB010系列特点及应用 简介: 摘要： 串行Flash存储器因体积小、密度高、功耗低和易操作而倍受青睐。本文简单介绍Megawin公司生产的Flash存储器，讲述其特点、结构、指令集，并以MM36SB010为例给出它的读写程序。 ...... | 2006年5月19日 | 459 |
| 13.闪存LH28F160及基于DSP的编程写入 简介: 摘要： Flash Memory是一种可以在线进行电擦写，并在掉电后信息不丢失的存储器，可广泛应用于外部存储系统中。文中介绍了SHARP公司的闪烁存储器LH28F160S5T的功能特点及工作状态，详细叙述了在TI公司的DSP TMS320C32PCM60仿真环境下，LH28F160S5T的硬 ...... | 2006年5月19日 | 497 |
| 14.东芝卷入闪存侵权风暴，数亿赔付之余大量产品将要付诸东流 简介: 闪存产品生产商Lexar Media公司日前向美国国际贸易委员会(ITC)起诉日本东芝(Toshiba)，要求制止东芝对Lexar知识产权的侵犯行为。东芝称尚未收到有关文件，并拒绝对此发表任何意见。 Lexar在其起诉书中称，东芝的闪存芯片和闪存卡侵犯了它的美国专利Nos.6,801,979、6,397,314和6,978,342，并请求ITC立即对美国进口的东芝侵权NAMD闪存芯片 ...... | 2006年5月18日 | 451 |
| 15.SanDisk和Micron为争霸主竞相并购Lexar 简介: 【eNet硅谷动力消息】海外媒体称，闪存芯片制造商SanDisk正在试图以超出Micron的出价、得到对手Lexar Media公司。 当地时间周五，海外媒体报道称，闪存卡制造商SanDisk公司目前正准备以压倒Micron科技公司的出价来收购对手Lexar Media公司，以打乱当前被广泛应用在数码音乐播放器和数码相机产品上的NAND闪存记忆卡产品市场格局，重新构建 ...... | 2006年5月16日 | 524 |
| 16.赛普拉斯推出QDRII 和DDRII SRAM器件 简介: 赛普拉斯半导体公司推出业界首款四数据速率II+ (QDRII+)和双数据速率II+ (DDRII+) SRAM器件。这些存储器芯片是世界上密度最高带宽最大的，比现有QDRII和DDRII的系统级带宽大50%。这些存储器加速了各种数据密集产品的读写功能，可用于交换机、路由器、服务器、存储设备、无线基站和测试设备。 QDRII+和DDRII+的工作速率高达500MHz，带宽高于QDRII ...... | 2006年5月12日 | 406 |
| 17.日立推3.5寸硬盘新品进军数码影像存储市场 简介: 日立环球存储科技公司副总裁兼大中华区总裁德克·托马斯 新浪科技讯 4月11日，日立在京宣布将推出全新3.5英寸CinemaStar硬盘，为DVR及机顶盒用户提供大容量的储存方案，日立称此举缘于采用硬盘的数码影像产品市 ...... | 2006年5月9日 | 408 |
| 18.英特尔采用65纳米工艺的1Gb NOR闪存样片面世 简介: 英特尔(Intel)日前于台北举行的2006年春季英特尔亚太科技论坛(IDF)活动中，宣布推出采用65纳米(nm)工艺技术的1Gb多层单元(Multi-Level Cell，MLC)NOR闪存(Flash)芯片样片。未来该公司的手机OEM客户，将能透过共通的闪存架构，简化从90纳米转移至65纳米工艺技术的流程。 英特尔的NOR闪存芯片被应用在包括手机在内的装置，用以管理手机作业、处理 ...... | 2006年5月9日 | 364 |
| 19.AT88SC1604卡的应用 简介: 前言 IC卡按结构划分，可分为存储器卡和微处理器卡（CPU card）两大类。逻辑加密卡与普通存储卡相比，内部结构较复杂，其存储区可以分成卡片设置区和应用区。卡片设置区内存放与卡片厂商及发卡者相关代码和卡片密码;应用区又可以根据需要分为不同的 ...... | 2006年5月8日 | 422 |
| 20.IBM新技术问世，欲探索磁性数据存储极限 简介: IBM科学家研制出一种名为旋转激励频谱(spin-excitation spectroscopy)的新技术，以在基本的原子级探索并控制磁力(magnetism)。 据称，这种方法不仅对于理解未来计算机电路和数据储存元件——它们已在朝原子级尺寸方向缩小——的工作方面非常重要，而且为发挥原子级磁力现象作用的新材料和计算器件铺下了基石。 IBM的Almaden研究中心研究人员Andr ...... | 2006年5月7日 | 386 |
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