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1.日立深圳硬盘工厂一期投产,预计再招六千员工
简介: 日立环球存储科技公司日前在深圳开设的全新“超级硬盘生产中心”——日立环球存储产品(深圳)有限公司(简称Hitachi GSP)日前正式揭幕落成。代表投资总额达5亿美元的“超级硬盘生产中心”一期工程的完成。预料当整项工程完成后,该生产中心将能生产日立硬盘年产量50%的硬盘产品。 日立的“超级生产”概念来自把整条供应链集中在一个地点进行,即把零件生产、供应商网络、 ......
2006年3月13日575
2.意法推出128兆位串行闪存芯片 密度提高一倍
简介: 意法半导体推出了新的128-Mbit 串行闪存芯片M25P128,新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128-Mbit的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512 Kbits到64 Mbits) ,同时还是这个市场上同一密度级别的第一个串行闪存芯片。 &nbs ......
2006年3月12日453
3.希捷160GB移动硬盘采垂直记录技术
简介: 希捷(Seagate)最近针对可携式应用推出了容量达160GB的硬盘,这种2.5英寸硬盘较相同尺寸规格的现有标准容量多30%,采用垂直记录技术(perpendicular recording),而重量少于一磅。为满足移动需求,该产品内部采用强韧耐震设计以及铝合金外壳,能保护硬盘避免因掉落而损毁。 目前希捷已开始出货其2.5英寸笔记型计算机硬盘机Momentus 5400.3,这款硬盘 ......
2006年3月11日590
4.希捷推出容量达160GB的2.5英寸硬盘
简介: 为了满足笔记本市场的需求,希捷(Seagate)推出采用垂直录制技术的2.5英寸硬盘Momentus 5400.3,容量高达160GB。今年绝大多数笔记本硬盘容量为80GB,这种大容量可通过提高密度或增加浅盘数量来实现。采用垂直录制技术的Momentus 5400.3可提供40GB至160GB容量,适合各种笔记本。它的空间密度为每平方英寸132Gb,而采用经度技术的硬盘每平方英寸仅为91. ......
2006年3月9日784
5.USB2.0-ATA/ATAPI桥器件可支持线缆供电的驱动器
简介: 高速PC大容量存储外设--快速成长的市场 通用串行总线 (USB) 是PC历史上最成功的外设接口。USB 2.0将秉承第一代USB产品的传统,为PC外设中的大容量存储设备提供具体优势。这些产品包括便携式数字音频播放器、外置硬盘驱动器 (HDD ......
2006年3月6日608
6.意法NAND闪存数据吞吐量达36MB/s
简介: 意法半导体公布了数据吞吐量创世界记录的4Gigabit NAND闪存的技术细节,ST新闪存芯片的数据吞吐量高达36MB/s, 比今天市场上的最好成绩还高大约50%。 新芯片内嵌一个功能强大的纠错处理器,每页可以改正最多五个错误,为高度可靠性和高速数据传输提供了保证,同时还简化了存储系统的设计,在旧金山国际固态电 ......
2006年3月2日548
7.Spansion为SIM卡市场推出安全闪存产品
简介:   Spansion公司宣布,为了使SIM卡制造商能够制造出新的解决方案以更好地管理移动内容的发布、加强应用的安全性以及保护数字内容的版权(DRM),它将开发一种新型的高容量安全SIM卡芯片。目前,Spansion公司正在开发第一个结合了90nm MirrorBit™ ORNAND™产品与M-Systems的加密、逻辑和闪存文件系统技术在一起的集成式解决方案。Mirror ......
2006年3月2日567
8.USB2.0闪存盘控制芯片
简介: USB 技术概述 英特尔等世界著名的7 家计算机公司和通讯公司于1995 年11 月正式制定了USB0.9 通用串行总线规范。 1996 年1 月USB1.0 标准推出,1998 年9 月他们又制定出整合了电磁传送的规格、协议以及软硬件技术的 U ......
2006年3月1日703
9.DSP处理器与FLASH存储器的接口设计
简介: DSP是针对实时数字信号处理而设计的数字信号处理器,由于它具有计算速度快、体积小、功耗低的突出优点,非常适合应用于嵌入式实时系统。自世界上第一片通用D5P芯片TMS320C10于1982年在美国T1公司产生以来,DSP处理器便显示出强盛的生命力。短短二十多年,世界上许多公司便开发出各种规格的DSP处理器,并使它们在通信、自动 ......
2006年3月1日817
10.Spansion发布最新MirrorBit方案,瞄准手机应用
简介: Spansion公司日前宣布推出一系列无线解决方案,该方案将90nm MirrorBit ORNAND闪存与其NOR产品系列相集成,从而进入针对移动电话市场的NAND领域。 通过采用MirrorBit NOR执行代码和MirrorBit ORNAND存储数据,这些解决方案可以为多种移动电话提供完整的存储子系统。它可以在无线手持终端上支持具有DVD质量的视频、CD质量的音频和高达500 ......
2006年2月23日1263
11.Spansion面向无线市场推出512Mb NOR闪存
简介:   Spansion推出了一款新型512Mb闪存,从而扩展了其高性能MirrorBit™ NOR产品系列。此款是专为无线市场优化的90nm NOR产品系列中的第一款产品。它可以帮助手持设备OEM厂商设计主频高达133MHz的下一代电话,以支持更加先进的多媒体功能。作为同一天发布的新型MirrorBit ORNAND™器件的补充,新的MirrorBit NOR产品为满足无线 ......
2006年2月22日1057
12.LSI Logic高可用性存储解决方案可与SolarisTM 10实现互操作
简介: LSI Logic近日宣布其Engenio存储事业部开发的存储系统已被 Sun™ Cluster Open Storage Program 的 Solaris Ready所验证。通过达到这些要求,用户可以确信Engenio存储产品可以与SolarisTM 10操作系统实现完全的互操作性。该验证将允许用户使用Su ......
2006年2月17日516
13.Spansion与Elpida为无线客户提供存储子系统
简介:    Spansion 公司今天宣布,将与日本领先的动态随机存取存储(DRAM)全球供应商Elpida合作,共同为无线市场提供完整的存储子系统解决方案。   通过将MirrorBit NOR和ORNANDTM闪存与Elpida的移动RAM整合,Spansion公司可以帮助手机生产商设计出外型更加小巧、具有更丰富的多媒体功能的手机。因为Spansion公司 和Elpida 都是只专注 ......
2006年2月15日712
14.NAND新应用层出不穷 价格不断降低
简介: 随着NAND闪存成本每年下跌40%,对NAND的新应用尤其是计算领域的应用层出不穷。 今年晚些时候,将有带闪存的硬盘与微软的新操作系统Vista同时出售。 & ......
2006年2月2日821
15.软核处理器的先进存储器体系结构的特点
简介: Altera公司的Nios软芯核嵌入式处理器是一种可特许的通用RISC CPU,它可与各种各样的外设、定制指令和硬件加速单元相组合,构成一个定制的SOPC(可编程单片系统)。这种Nios处理器的第三版本利用Altera公司高性能Stratix和Cyclone器件系列的先进存储器功能来提高系统性能。   &nbs ......
2006年2月2日772
16.Spansion发布ORNAND解决方案 为移动电话提供可扩展存储子系统
简介:   Spansion公司宣布推出一系列无线解决方案,该方案将90nm MirrorBit™ ORNAND™闪存与其NOR产品系列相集成,从而进入针对移动电话市场的NAND领域。通过采用MirrorBit NOR执行代码和MirrorBit ORNAND存储数据,这些解决方案可以为多种移动电话提供完整的存储子系统。它可以在无线手持终端上支持具有DVD质量的视频、CD质量的音 ......
2006年2月1日587
17.圣诞前夕DRAM走俏 NAND倍受冷落
简介: 据DRAMeXchange新发布报告,圣诞前夕DRAM现货市场供给已开始吃紧,从而刺激DRAM买气,特别是eTT (UTT)颗粒以及Hynix 512Mb 64Mbx8。另外,本星期的NAND Flash现货价仍处于下跌,相较于上星期,低容量颗粒价格跌速已趋缓,但高容量颗粒,特别是16Gb的价格则有跌幅增大情况。   ......
2006年1月30日539
18.希捷收购迈拓公司 成就硬盘业霸主
简介: 近日,希捷和迈拓共同宣布,双方已达成共识进行合并。希捷将以股票交换的方式购并迈拓,希捷为存续公司。 根据双方董事会公布的约定,迈拓的股东可以用1股股票兑换0.37股希捷股票。此项交易完成之后,原希捷股东将拥有新公司84%股份,原迈拓股东则拥有新公 ......
2006年1月29日755
19.iPod改变了NAND闪存市场格局
简介: 11月21日,一条爆炸性的新闻吸引了人们的眼球:半导体巨头英特尔和美光(Micron)决定用52亿美元在美国合资兴建一个65nm及45nm的NAND闪存芯片工厂,取名为"IMFlash"。该工厂计划在2006年投产。而导致这个合作的源动力来自苹果(Apple)公司MP3对NAND闪存的大量需求。 & ......
2006年1月27日639
20.日立携手瑞萨开发MOS相位转换存储器单元 1.5V电压条件下可编程
简介: 日立与瑞萨发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程——与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比,每个单元的功耗降低了50%。此外,相对于现有的非易失存储器,新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平 ......
2006年1月26日524
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