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| 1.尔必达存储器有限公司 简介: 尔必达存储器有限公司（Elpida Memory, Inc.) 作为日本企业，一直专注于开发、生产和销售业内领先水准的DRAM (Dynamic Random Access Memory) 产品。Elpida于1999年12月由NEC和日立制作所的DRAM事业部门合拼而成，其后，收购了三菱电机的DRAM业务，并持续利用世界领先技术致力于扩大业务。 Elpida的丰富产品线能满足市场上各 ...... | 2006年10月30日 | 1088 |
| 2.支持6Gbps硬盘串口标准的90nm磁盘驱动读取IC 简介: 英飞凌科技股份公司推出了一款硬盘读取IC（集成电路），内核的功能以及超过2.6Gbps的数据率，是90nm读取通道最高的数据率，比前一代器件几乎要快30%。它被集成至一个片上系统（SoC）器件，该器件包含控制硬盘的所有必要功能，包括将率先同时支持4.25Gbps光纤通道和即将推出的6Gbps SAS （串行连接SCSI）和S-ATA （串行ATA） 标准的PHY （物理层）内核。2.6Gbp ...... | 2006年10月30日 | 588 |
| 3.采用逻辑地址访问方式的NAND型闪存 简介: 东芝开发了采用逻辑地址访问方式的NAND型闪存的解决型产品LBA-NAND。该产品在保持NAND型闪存接口的情况下，可以采用逻辑地址访问方式。LBA-NAND自身采用逻辑地址访问方式，减轻了主控制器管理NAND型闪存规格相异点的负担，LBA-NAND还进行模块管理、ECC处理、平均读写等处理，可以减轻主控制器及驱动软件的开发负荷，缩短开发周期。LBA-NAND自身采用标准NAND型闪存接口、 ...... | 2006年10月30日 | 638 |
| 4.专为车用的32MB闪存芯片 简介: 意法半导体推出专门为汽车市场开发的升级版32MBit闪存芯片M58BW32F。该产品采用先进的0.11mm制造技术，并符合汽车电子协会的AEC-Q100标准，采用最先进的体系架构，在汽车环境全程温度范围（-40℃~+150℃）内，存储器存取时间最低45ns。在全程温度范围内，最大突发脉冲串频率75MHz。M58BW32F采用一个32位宽数据总线，额定工作电压3.3V。并具有灵活的软硬件保护、 ...... | 2006年10月30日 | 587 |
| 5.Cypress联手Symwave推出面向便携式硬盘驱动器的生命特征安全识别参考设计 简介: 赛普拉斯半导体公司和Symwave公司于近日携手推出一款运用指纹识别技术的参考设计，旨在为外置硬盘驱动器（HDD）增添生命特征安全识别功能。该参考设计为HDD制造商及其最终客户提供了最大的灵活性和便利性。 新型CY4671参考设计基于Symwave公司的SW6888指纹传感器IC和Cypress的EZ-USB™ FX2LP USB控制器，满足了人们日益 ...... | 2006年10月29日 | 1055 |
| 6.Ramtron推出带有高速SPI接口512Kb3V非易失性FRAM 简介: Ramtron International 公司宣布推出512 Kb的3V非易失性 FRAM器件 -- FM25L512，带有高速串行外设接口 (SPI)。该款器件采用8管脚微型封装，能够提高数据采集和存储能力，并且削减应用成本和PCB空间，应用领域从多功能打印机到工业用电机控制器等。 Ramt ...... | 2006年10月29日 | 825 |
| 7.海力士与ST为在中国的合资存储器芯片制造厂举行落成典礼 简介: 意法半导体公司和另一家大型半导体厂商海力士半导体为在中国江苏省无锡市合资建立的存储器芯片前端制造厂举行了正式的开业典礼。中国地方及国家领导参加了开业典礼。 这个技术先进的新工厂将负责制造NAND闪存和DRAM存储器芯片，该合资公司是海力士与意法半导体成功合作的结晶。合资双方将获得规模经济带来的巨大的经 ...... | 2006年10月29日 | 800 |
| 8.全球半导体行业将在07年年中遭遇下降拐点 简介: 据市场研究公司Advanced Forecasting最新发表的研究报告称，全球半导体行业将在2007年年中遭遇下降的拐点。下降的深度取决于过热的水平、双倍订货的条款和夸大的收入等因素。这些因素都预示着这个市场的下降。 Advanced Forecasting负责市场营销和销售的经理Rosa Luis说,目前集成电 ...... | 2006年10月21日 | 618 |
| 9.Altera与Northwest Logic交付经过硬件验证的667-Mbps DDR2 SDRAM接口解决方案 简介: Altera公司和Northwest Logic宣布，可立即为Altera高密度Stratix® II和Stratix II GX FPGA提供经过硬件验证的667-Mbps DDR2 SDRAM接口。这一接口结合了Altera自动校准DDR2 PHY和Northwest Logic的功能全面的DDR2 SDRAM控制器内核，大大简化了DDR2 SDRAM接口设计，同时提高了存储器吞 ...... | 2006年10月20日 | 732 |
| 10.FPGA与SRAM相结合完成大容量数据存储 简介: 1 引言 随着数字信号处理技术的不断发展，大容量可编程逻辑器件的不断涌现，FPGA技术越来越多地应用在大规模集成电路设计中。在此硬件系统设计中，经常会遇到需要大容量的数据存储的情况，下面我们将针对FPGA中内部Block ...... | 2006年10月20日 | 953 |
| 11.OTPROM型单片机内内部存储器的使用研究 简介: 随着变频调速以及微机控制技术的发展，适应电机控制的Intel 8XC196MC系列单片机应用越来越广泛。 与80C196MC相比，87C196MC单片机带有16 KB的OTPROM(One Tline ...... | 2006年10月20日 | 711 |
| 12.闪联标准加速市场化进程 卖场开设体验区 简介: 继9月中旬美的等12家白电企业集体加盟闪联后，闪联昨天又高调进入国美、大中等家电卖场开设体验区。业内人士认为，随着产业链上众多企业的加入，闪联下一个战略目标将是加速市场化进程。 昨天，记者在国美电器北太平庄店看到，闪联已在卖场里开辟出体验区。一款海信3788i的电视和一台长城T60笔记本电脑中间不需任何连线，就可实 ...... | 2006年10月20日 | 869 |
| 13.Spansion首款每单元四比特闪存采用MirrorBit Quad技术 简介: Spansion演示了业界首款每单元四比特闪存技术的工作芯片。该芯片由其位于得克萨斯州奥斯汀的Fab 25制造。Spansion™ MirrorBit® Quad 技术的设计用以拓展创新的闪存，并降低电子设备内海量数字内容存储的成本。 Spansion最新成立的媒体存储事业部将以此项技术为基础，为集成化闪存市场开发一系列差异化的数据存储解决方案。Spans ...... | 2006年10月20日 | 962 |
| 14.中国微硬盘产业被判死刑?! 简介: 中国的微硬盘制造业正被视为濒危产业当受保护之际，美国人的一纸判决宣布成为结束其生命的最后一根稻草。 2006年9月9日，汇通世华的第一大股东——贵州南方汇通股份有限公司(以下简称“南方汇通”)发布公告称，美国加利福尼亚北区法院已于2006年6月2日下达判决，判令日立存 ...... | 2006年10月17日 | 1331 |
| 15.分页烧写Flash多页程序并行自举方法 简介: TI公司的DSP芯片TMS320Vc5410(简称5410)是性能卓越的低功耗定点DSP，在嵌入式系统中有着广泛的应用。5410没有自带的片上非易失性存储器，因此需要外部的非易失性存储介质，如EPROM或Flash，来存储程序和数据。5410片内有64 K字RAM，由于在片内RAM运行程序比片外运行有高速度低功耗等显著优点， ...... | 2006年10月16日 | 1346 |
| 16.片外高速海置SDRAM存储系统设计 简介: 在数字图像处理、航空航天等高速信号处理应用场合，需要有高速大容量存储空间的强力支持，来满足系统对海量数据吞吐的要求。通过使用大容量同步动态RAM(SDRAM)来扩展嵌入式DSP系统存储空间的方法，选用ISSI公司的IS42S16400高速SDRAM芯片，详细论述在基于TMS320C6201(简称C6201)的数字信号处理系统 ...... | 2006年10月16日 | 1223 |
| 17.基于虚拟存储嵌入式存储系统的设计方法 简介: 1引言 嵌入式系统由嵌入式硬件和固化在硬件平台中的嵌入式软件组成。传统的小规模嵌入式系统，软件多采用前后台的方法，通常应用于实时性要求不高的简单场合;对于复杂的应用场合，较为普遍的做法是给系统配上嵌入式实时操作系统（RTOS），这样不仅能够使系统具有良好的实时性能，降低软件编制的工作量，还可以提高整个系统的稳定性 ...... | 2006年10月16日 | 1026 |
| 18.奇梦达与南亚科技成功获得75纳米DRAM技术之验证 简介: 奇梦达公司和南亚科技公司宣布已成功获得75纳米 DRAM 沟槽式(Trench)技术之验证，最小之制程尺寸为70纳米, 第一个75纳米之产品将为512Mb DDR2 内存芯片。此项新的技术平台和产品是双方共同在德国德累斯顿(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇梦达开发中心所开发的。目前已经在奇梦达的德累斯顿十二吋厂生产线开始此项新一代 DRAM技术之试产。 采用75 ...... | 2006年10月11日 | 781 |
| 19.Micron35亿美金押宝NAND闪存 简介: 美国半导体厂商Micron美光表示，他们将于2007年在NAND闪存业务上投入35亿美金的巨资，以扩充生产NAND闪存的设备之用。 产业分析师认为，美光之所以35亿美金巨资押宝NAND闪存，一方面在于看好NAND闪存在计算机产品、消费电子产品上的应用前景，另外，美光也希望借此在和三星电子、东芝等竞争对手 ...... | 2006年10月11日 | 703 |
| 20.ST推出SO8N封装8Mbit及16Mbit串行代码存储闪存 简介: 意法半导体推出高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存，新产品采用市场上同类产品中最小的封装：SO8N。ST是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商，新产品尺寸紧凑，成本低廉，适合各种对成本有较高要求的计算机及消费电子产品的代码存储应用，如打印机、光驱、无线局域网 (WLAN)模块以及机顶盒(STB)。 M25P80和M25P16是8-Mbit (1M x 8)和16-Mbit (2M ...... | 2006年10月10日 | 693 |
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