在MSP430选型时，我们主要着重介绍现在较流行使用的FLASH型单片机。因为目前主流单片机也是以FLASH型为主，使用得非常广泛。所以在此也针对MSP430 的FLASH型作出了其选型列表，若想了解其它未列出的较少型号请中国TI联系。
MSP430 FLASH型单片机选型表：
MSP430单片机家族详解：
MSP430x1xx系列
基于闪存或 ROM 的超低功耗 MCU，提供 8MIPS，工作电压为 1.8V - 3.6V，具有高达 60KB 的闪存和各种高性能模拟及智能数字外设。
超低功耗低至：
0.1μA RAM 保持模式 0.7μA 实时时钟模式 200μA/MIPS 工作模式 在 6μs 之内快速从待机模式唤醒
器件参数：
闪存选项：1KB – 60KB ROM 选项：1KB – 16KB RAM 选项：512B – 10KB GPIO 选项：14、22、48 引脚 ADC 选项：10 和 12 位斜率 SAR 其它集成外设：模拟比较器、DMA、硬件乘法器、SVS、12 位 DAC［5］
MSP430F2xx系列
基于闪存的超低功耗 MCU，在 1.8V - 3.6V 的工作电压范围内性能高达 16MIPS。包含极低功耗振荡器 （VLO）、内部上拉/下拉电阻和低引脚数选择。
超低功耗低至：
0.1μA RAM 保持模式 0.3μA 待机模式 （VLO） 0.7μA 实时时钟模式 220μA/MIPS 工作模式 在 1μs 之内超快速地从待机模式唤醒
器件参数：
闪存选项：1KB – 120KB RAM 选项：128B – 8KB GPIO 选项：10、16、24、32、48、64 引脚 ADC 选项：10 和 12 位斜率 SAR、16 位 Σ-Δ ADC 其它集成外设：模拟比较器、硬件乘法器、DMA、SVS、12 位 DAC、运算放大器［6］
MSP430C3xx系列
旧款的 ROM 或 OTP 器件系列，工作电压为 2.5V - 5.5V，高达 32KB ROM、4MIPS 和 FLL。
超低功耗低至：
0.1μA RAM 保持模式 0.9μA 实时时钟模式 160μA/MIPS 工作模式 在 6μs 之内快速从待机模式唤醒
器件参数：
ROM 选项：2KB – 32KB RAM 选项：512B – 1KB GPIO 选项：14、40 引脚 ADC 选项：14 位斜率 SAR 其它集成外设：LCD 控制器、硬件乘法器
MSP430x4xx系列
基于 LCD 闪存或 ROM 的器件系列，提供 8-16MIPS，包含集成 LCD 控制器，工作电压为 1.8V-3.6V，具有 FLL 和 SVS。低功耗测量和医疗应用的理想选择。
超低功耗低至：
0.1μA RAM 保持模式 0.7μA 实时时钟模式 200μA/MIPS 工作模式 在 6μs 之内快速从待机模式唤醒
器件参数：
闪存/ROM 选项：4kB – 120KB RAM 选项：256B – 8KB GPIO 选项：14、32、48、56、68、72、80 引脚 ADC 选项：10 和 12 位斜率 SAR、16 位 Σ-Δ ADC 其它集成外设：LCD 控制器、模拟比较器、12 位 DAC、DMA、硬件乘法器、运算放大器、USCI 模块［8］
MSP430F5xx系列
新款基于闪存的产品系列，具有最低工作功耗，在 1.8V-3.6V 的工作电压范围内性能高达 25MIPS。包含一个用于优化功耗的创新电源管理模块。
超低功耗低至：
0.1μA RAM 保持模式 2.5μA 实时时钟模式 165μA/MIPS 工作模式 在 5μs 之内快速从待机模式唤醒
器件参数：
闪存选项：高达 256KB RAM 选项：高达 16KB ADC 选项：10 和 12 位 SAR 其它集成外设：USB、模拟比较器、DMA、硬件乘法器、RTC、USCI、12 位 DAC［9］
MSP430G2553
低电源电压范围：1.8v至3.6v。
超低功耗 运行模式： 230μA （在1MHz 频率和2.2V 电压条件下）
待机模式： 0.5μA
关闭模式（RAM 保持）： 0.1μA
5 种节能模式
用于模拟信号比较功能或者斜率模数（A/D） 转换的片载比较器
可在不到1μs 的时间里超快速地从待机模式唤醒
16 位精简指令集（RISC） 架构，62.5ns 指令周期时间
带内部基准、采样与保持以及自动扫描功能的10位200-ksps 模数（A/D） 转换器
基本时钟模块配置
– 具有四种校准频率并高达16MHz 的内部频率串行板上编程，
– 内部超低功耗低频（LF） 振荡器无需外部编程电压，
– 32kHz 晶体护
– 外部数字时钟源具有两线制（Spy-Bi-Wire） 接口的片上仿真逻辑电路
两个16 位TImer_A，分别具有三个捕获/比较寄存路器
