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低功耗的SRAM IP目标设在延长电池寿命
来源:中电网 作者: 2015/6/1 17:15:36 人气:329
内容导读:
该硅验证,28nm的生产FDSOI设计目标,要求电池寿命长最小运行应用程序和待机功耗性能。单端口SRAM支持0.7至1.2V的宽工作电压范围,并拥有动态功耗的节省,目前超过商业产品的50%,称该公司。知识产权也减少静态功耗高达35%,尽管有10%的面积损失。
sureCore的低功耗SRAM IP的商业可用性已经公布将于本月底可以看出,在DAC

硅验证28nm的生产FDSOI设计目标,要求电池寿命长最小运行应用程序和待机功耗性能。单端口SRAM支持0.7至1.2V的宽工作电压范围,并拥有动态功耗的节省目前超过商业产品50该公司知识产权也减少静态功耗高达35%,尽管有10%的面积损失

IP一个路线图,其中包括引入40纳米批量CMOS功耗SRAM今年晚些时候第一款产品工作也正在进行一个28纳米,批量CMOS版本

嵌入式存储器患病率在现代SoC设计增加了支持运行大量的软件应用程序的多个处理器。从历史上看然而,SRAM已经证明耗电
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