内容导读：
该硅验证，28nm的生产FDSOI设计目标，要求电池寿命长最小运行应用程序和待机功耗性能。单端口SRAM支持0.7至1.2V的宽工作电压范围，并拥有动态功耗的节省，目前超过商业产品的50％，称该公司。知识产权也减少静态功耗高达35％，尽管有10％的面积损失。

对sureCore的低功耗SRAM IP的商业可用性，已经公布并将于本月底可以看出，在DAC。

该硅验证，28nm的生产FDSOI设计目标，要求电池寿命长最小运行应用程序和待机功耗性能。单端口SRAM支持0.7至1.2V的宽工作电压范围，并拥有动态功耗的节省，目前超过商业产品的50％，称该公司。知识产权也减少静态功耗高达35％，尽管有10％的面积损失。

该IP是一个路线图，其中包括引入40纳米，批量CMOS，低功耗SRAM今年晚些时候的第一款产品。工作也正在进行一个28纳米，批量CMOS版本。

嵌入式存储器患病率在现代SoC设计增加了支持运行大量的软件应用程序的多个处理器。从历史上看，然而，SRAM已经证明耗电。

标签：SoC设计,嵌入式存储器

来源:中电网 作者: 时间:2015/6/1 17:15:36