对sureCore的低功耗SRAM IP的商业可用性,已经公布并将于本月底可以看出,在DAC。
该硅验证,28nm的生产FDSOI设计目标,要求电池寿命长最小运行应用程序和待机功耗性能。单端口SRAM支持0.7至1.2V的宽工作电压范围,并拥有动态功耗的节省,目前超过商业产品的50%,称该公司。知识产权也减少静态功耗高达35%,尽管有10%的面积损失。
该IP是一个路线图,其中包括引入40纳米,批量CMOS,低功耗SRAM今年晚些时候的第一款产品。工作也正在进行一个28纳米,批量CMOS版本。
嵌入式存储器患病率在现代SoC设计增加了支持运行大量的软件应用程序的多个处理器。从历史上看,然而,SRAM已经证明耗电。