DRAM和闪存现货价格自2006年末开始急剧下滑，据DRAMeXchange近期的数据显示，2007年第二季度DRAM市场交易额较第一季度下滑了25%。面对如此严峻的价格压力，您或许会认为器件制造商将会削减资本支出。事实上有的制造商的确这么做了，但有些制造商的投入却在继续。
继续进行投入的这些公司大多是在300mm晶圆厂和存储器方面进行投资，期待着DRAM和闪存需求出现大幅增长。例如奇梦达（Qimonda）即坚信DRAM市场将出现强劲需求，并预计2007年DRAM芯片的比特增长率将达到55%至65%。为此，奇梦达计划斥资20亿欧元在新加坡建设一座300mm晶圆厂，并与SanDisk达成了一项合资协议，共同开发和制造闪存-DRAM多芯片封装产品。其在新加坡的晶圆厂预计将于2008年末完成厂房建设。
另一个例子是台湾茂德科技（ProMOS），该公司将把其晶圆厂支出由2006年的约8亿美元大幅提升至2007年的大约170万至180万美元。而力晶半导体（Powerchip）与日本尔必达（Elpida）于2006年12月合资成立的瑞晶（Rexchip）亦宣布了其雄心勃勃的投资计划，其中计划在2007年投入近20亿美元。该公司在台湾台中市的晶圆厂月产能预计将在2007年第三季度达到30,000片。其他包括三星（Samsung）、海力士（Hynix）、东芝（Toshiba）、英特尔（Intel）和美光（Micron）在内的几家公司各自2007年的支出也在20亿美元以上。其中仅三星一家便打算耗资45亿美元为其晶圆厂购买设备，并另有7亿美元用于晶圆厂建设项目。
这些厂商的豪赌又会如何影响全球半导体产业呢？
尽管2006年晶圆厂建设方面的支出达到了创纪录的水平，但在2007年预计会出现1.6%的负增长。不过到2008年，资本支出预计又会出现40%的增长，创下100亿美元的新高。
至于今年，台湾和日本将分别以30%和20%的比例占据全球晶圆厂建设支出的最大份额，排在第三位的是中国大陆，比例为16%（见图1）。
2008年，韩国预计将成为晶圆厂建设支出增幅最大的地区。东南亚明年亦会出现跨越式增长，主要受美光的Tech Semiconductor和IM Flash、以及奇梦达和特许半导体（Chartered）的影响。
我们预计2007年晶圆设备支出将会出现5%的增长，并在2008年进一步增长5%。
2007年，台湾预计会占到晶圆厂设备支出的24%以上，紧随其后的是日本，占据近22%的份额。韩国则预计会占全球晶圆厂设备支出的17%。
我们预测2007年全球晶圆厂产能将增长17%，2008年进一步增长11%。其中，产能最高的日本将占到全球晶圆厂总产能的约24%，排在其后的是占据18%份额的台湾以及北美和韩国。
2008年，东南亚地区的晶圆厂产能预计将出现大幅增长，特别是在新加坡，该国新的晶圆厂项目包括IM Flash合资厂、Tech Semiconductor、奇梦达和特许。一旦这些晶圆厂进入量产，将显著提升该地区在全球晶圆产能中所占的份额。
今年和2008年，存储器产品将分别占全球总产能的38%和40%。其中一半以上的存储器产能来源于四大厂商（包括其合资公司）：三星、海力士、东芝和美光。
由图2可看出，全球300mm晶圆厂产能将从今年年初的每月300万片（折合为200mm晶圆）增长一倍，在2008年年末达到每月600万片。
在2007年，共有16座300mm晶圆厂投产；到2008年，又有9座新的300mm晶圆厂进入量产。其中包括从200mm晶圆厂转变为300mm晶圆厂的案例，如AMD公司在德国Dresden的Fab 30，以及Tech Semiconductor在新加坡的晶圆厂。
