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安森美半导体推出HighQ™硅-铜集成无源器件
来源:EEPW 作者: 2007/6/13 0:00:00 人气:43
内容导读:

安森美半导体宣布,将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ™硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比,这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低,性能更高。

安森美半导体的HighQ™ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用,高性能等于延长电池寿命。

安森美半导体制造服务总经理Rich Carruth说:“目前,为了向市场推出具有价格竞争力的电子消费品,设计人员在为板选择无源器件时只好牺牲性能。以砷化镓-金工艺制造的无源器件提供较好的性能,但是过高的总体制造成本限制了其用于手机和其他无线产品。而典型的硅-铜工艺制造的无源器件比砷化镓无源器件制造成本低,只是性能稍逊。采用安森美半导体HighQ™工艺制造的无源器件,为设计人员提供具价值的第三个选择——比普通硅-铜器件的Q值高,比砷化镓无源器件更具价格优势。”

工艺

位于美国的世界级安森美半导体200 mm制造厂采用的是IPD工艺。该厂具世界一流水平的原型和生产周期,高科技产品生产和故障分析设备和系统。

HighQ™制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、MIM 电容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 电阻器
(9 ohms/square),工艺成熟,将满足全部可靠性评估标准,显示了该方案的稳健。
•    加工温度-65

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