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英特尔公司宣布为低价手机推出新型NOR闪存，这种闪存容量为32-Mb至256-Mb，并有共用引脚的设计以便兼容更小的封装和更少的引脚。它可以用于单芯片基带和射频方案。

英特尔公司说，这种闪存也可将RAM包含在一个多芯片封装内，采用支持地址和数据复用线的88球封装，今后还会有支持地址和数据复用线的107-ball×16C封装的配置。

该闪存己经生产出样品，预计今年三季度量产。

英特尔公司副总裁Darin Billerbeck表示：“我们认为，低价位手机市场是一个现实的机会，在2007年，我们要用65纳米工艺来代替当前的130纳米和90纳米工艺。”

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来源:中电网 作者: 时间:2006/8/4 0:00:00