Abrupt junction 突变结 ~r.,=]`N 
Accelerated testing 加速实验 |5CU%2 
Acceptor 受主 J D7 R 
Acceptor atom 受主原子 (o!6zsQ 
Accumulation 积累、堆积 h%H z
bG 
Accumulating contact 积累接触 `W<} Fb 
Accumulation region 积累区 Y)!L<^~ 
Accumulation layer 积累层 Fn>`)x/k\ 
Active region 有源区 f Ya w\L j 
Active component 有源元 !cYR?zsq#n 
Active device 有源器件 1.FzTM% 
Activation 激活 q[
7 v& 
Activation energy 激活能 ]m`''Gc(E< 
Active region 有源（放大）区 2[ 1 #)}) 
Admittance 导纳 { H_tnO|) 
Allowed band 允带 o<_~rY a1 
Alloy-junction device合金结器件 [;MZ FO?R 
Aluminum(Aluminium) 铝 d$ Q''J/ 
Aluminum – oxide 铝氧化物 I"bPRr- 
Aluminum passivation 铝钝化 S]^a$BwP 
Ambipolar 双极的 5}O&%{.Y 
Ambient temperature 环境温度 kp!lBo~W 
Amorphous 无定形的，非晶体的 Oax8m&IhO 
Amplifier 功放 扩音器 放大器 {a ,T EO 
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 o@TJla 
Angstrom 埃 Zt;1} "~J 
Anneal 退火 x)3t}G= 
Anisotropic 各向异性的 K"`ZQ}+-w 
Anode 阳极 `CS@S<TU| 
Arsenic (AS) 砷 xInW4< 
Auger 俄歇 p#Y$Fs@: 
Auger process 俄歇过程 L(gmI"it9 
Avalanche 雪崩 wZ _h:=w 
Avalanche breakdown 雪崩击穿 *hj
$ s 
Avalanche excitation雪崩激发 ZBp 1LbC# 
Background carrier 本底载流子 9dd.J+ 
Background doping 本底掺杂 &%N\ Mb7 
Backward 反向 m\;2n%N 
Backward bias 反向偏置 x Sv07PH 
Ballasting resistor 整流电阻
Qub#5 
Ball bond 球形键合 h RD52G 
Band 能带 spqU1,MM/ 
Band gap 能带间隙 I mpDX 
Barrier 势垒 B"sv9;x 
Barrier layer 势垒层 -sIrL 
Barrier width 势垒宽度 V?G--T 
Base 基极 0I uVzZ 
Base contact 基区接触 gZv8;I 
Base stretching 基区扩展效应 G@go5''^O 
lR6 #$$4 
Base transit time 基区渡越时间 <= RaWQ 
Base transport efficiency基区输运系数 -h1JdE~ 
i{[oCd7( 
Base-width modulation基区宽度调制 /mZ` z&|g 
Basis vector 基矢 *Cl5Y'':|h 
Bias 偏置 Ra\g OOOr 
Bilateral switch 双向开关 
 oL]X 
Binary code 二进制代码 HH=3> rj 
Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 FNfkWuk!K 
Bipolar 双极性的 f ''1sBD 
Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 g6xOWT)8L 
Kgu!dos4 
Bloch 布洛赫 4wb^$1XR 
Blocking band 阻挡能带  3DY0Py, 
Blocking contact 阻挡接触 rqxCjh\D 
Body - centered 体心立方 !HL~=-b{p 
Body-centred cubic structure 体立心结构 B<WW''` ubj 
Boltzmann 波尔兹曼 ,) rxpf''L 
Bond 键、键合 }siiBC`; 
Bonding electron 价电子 ''K"m8kI2 
Bonding pad 键合点 db @v6Z\ 
Bootstrap circuit 自举电路 A7Y-`.&[i 
Bootstrapped emitter follower -^YJ)L}t 
自举射极跟随器Boron 硼 =a* Dp+!/ 
Borosilicate glass 硼硅玻璃 M ~^U|
 
Boundary condition 边界条件 *cCR
n%4 
Bound electron 束缚电子 @ ]-4[ 
Breadboard 模拟板、实验板 *fLj>n1 
Break down 击穿 U%N)9F P 
Break over 转折 Mh=z}hZ`H 
Brillouin 布里渊 F3j84"e7|d 
Brillouin zone 布里渊区 ou-a}"{R% 
Built-in 内建的 ;;*knu<> 
Build-in electric field 内建电场 hakHTeW 
Bulk 体/体内 a6FR.;)B> 
Bulk absorption 体吸收 k\M*OUZ^$ 
Bulk generation 体产生 UD(B\2 
Bulk recombination 体复合 S: e) Y 
Burn - in 老化 qJJL^x
V 
Burn out 烧毁 T]:H8? 
Buried channel 埋沟 ZN  kr1f 
Buried diffusion region 隐埋扩散区 D gLKh04LN 
Can 外壳 p =[
YB( 
Capacitance 电容 Ov$K~2]iQ1 
Capture cross section 俘获截面 ZU3>5( 
Capture carrier 俘获载流子 crxXyz[, 
6BjzkycLh  {{分页}}
Carrier 载流子、载波 sVYo
u>n 
Carry bit 进位位 Zf Gk`4 
Carry-in bit 进位输入 w)Wby~1 =Y 
Carry-out bit 进位输出 _Fa)u6`/T 
Cascade 级联 (-@GEHd 
Case 管壳 rP9VI@( 
Cathode 阴极  ".^9fl 
Center 中心 -rOH
,=L 
Ceramic 陶瓷（的） , nmWrf<O 
Channel 沟道 1#h1BK 
Channel breakdown 沟道击穿 >3L6{~QAbA 
Channel current 沟道电流 2 K"sD`N 
Channel doping 沟道掺杂 `J2+ 
Channel shortening 沟道缩短 ~n,F*@MHl 
Channel width 沟道宽度 tQ.3Y$X3U) 
Characteristic impedance 特征阻抗 Z;79mZ 
Charge 电荷、充电 (:_iv 
Charge-compensation effects 电荷补偿效应 uNxNXA]bV 
Charge conservation 电荷守恒 fjREy-0X 
Charge neutrality condition 电中性条件 5)Qy 
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 rcu9_q qb 
"[b9 a  
Chemmical etching 化学腐蚀法 ~^uv]rqu 
Chemically-Polish 化学抛光 yQaR=2 
Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 v um''Z{_ 
Chip 芯片 N c~~ 
Chip yield 芯片成品率 HRn*{Ip 
Clamped 箝位 d"| V9 
Clamping diode 箝位二极管 3I/4 rNz 
Cleavage plane 解理面 LdyQHT_u@w 
Clock rate 时钟频率 U:pj\( 
Clock generator 时钟发生器 ApzL&a" 
Clock flip-flop 时钟触发器 T"30J?/ 
Close-packed structure 密堆积结构 uF{am~J[e 
Close-loop gain 闭环增益 Ht,^p1& f 
Collector 集电极 OJXXP9| 
Collision 碰撞 jB*+m{ZdQo 
Compensated OP-AMP 补偿运放 i^;r<_=+ 
Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 Y$"=IRiv# 
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 @3t59[[S$ 
Common-mode gain 共模增益 (H]VSv 
Common-mode input 共模输入 ?G(0`e~BmJ 
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 JL o1 
Compatibility 兼容性 .9}00 (W 
Compensation 补偿 [''Qv_ V 
Compensated impurities 补偿杂质 42.tc:m>h 
Compensated semiconductor 补偿半导体
[''D ;j^ 
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 9DO1b:~ 
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) ds"`&=e 
互补金属氧化物半导体场效应晶体管 :A[L.3 
Complementary error function 余误差函数 F[+En$X: 
Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制 1x|r;W<:5L 
造 SBts$AhqVF 
Compound Semiconductor 化合物半导体 ~_n3"^tSlb 
Conductance 电导 EWGE5- 
Conduction band (edge) 导带(底) r7<qzXdJ 
Conduction level/state 导带态 RzAMA#
_ 
Conductor 导体 z-bNho4T 
Conductivity 电导率 A+ AuRX?z 
Configuration 组态 1r6
},Jv 
Conlomb 库仑 1Z*n6W+? 
Conpled Configuration Devices 结构组态 d:YtTL@2 
Constants 物理常数 #fNn)A:jC 
Constant energy surface 等能面 -WjoC>
I? 
Constant-source diffusion恒定源扩散 /GF,-( 
Contact 接触 T5
P[y S 
Contamination 治污 4|=Ekf Z` 
Continuity equation 连续性方程 4 |%X]H 
Contact hole 接触孔 $ }2{ 
Contact potential 接触电势  
y
[m" 
Continuity condition 连续性条件 <n{B@o$x 
Contra doping 反掺杂 [@Yc" 
Controlled 受控的 QdCTO  
Converter 转换器 K`L/2u.2 
Conveyer 传输器 szI%Soclq 
Copper interconnection system 铜互连系统 R86p=$I; 
Couping 耦合 B_M3qrP? 
Covalent 共阶的 L/I?@.;E 
Crossover 跨交 hPWTV;m!R 
Critical 临界的 3E9"{?M6 
Crossunder 穿交 Pz1w;h c[ 
6jM1_QYXYg 
Crucible坩埚 4da''7M~cc 
Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶 "9x)5] 
格 x^LSAe6?_ 
Current density 电流密度 z< myf 
Curvature 曲率 ;WL Y:J 
Cut off 截止 5''<J97"\ 
Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 Ldi+z"5''Tq 
+Ef8\2 
Current Sense 电流取样 RIl@=Va 
Curvature 弯曲 >q_/au> c 
Custom integrated circuit 定制集成电路 V. (wTFas 
Cylindrical 柱面的 |M+4L[ J 
Czochralshicrystal 直立单晶 `r&e /}0Zy 
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J [Wzz+B@` 
Dangling bonds 悬挂键 \sCla 3 
Dark current 暗电流 mIYiHMM1 
Dead time 空载时间 zVy{L%LE 
Debye length 德拜长度 >-x/o 
De.broglie 德布洛意 `O#/V5w 
Decderate 减速 Oms$RnQ 
Decibel (dB) 分贝 U/ whI&
3 
Decode 译码 t1]f@VP 
Deep acceptor level =Q.?2eK: 
深受主能级 #D EeOz 
Deep donor level 深施主能级 s>#qQasKa 
Deep impurity level 深度杂质能级 {ye%h 
Deep trap 深陷阱 DiVh3; 
Defeat 缺陷 5(e$MF ({ 
Degenerate semiconductor 简并半导体
l-\b-m 
Degeneracy 简并度  ZNCw 6" 
Degradation 退化 d;Dpx?|  {{分页}}
Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 w Xo8d 
Delay 延迟 VLPLAz^U} 
Density 密度 ]wjF nCX 
Density of states 态密度 &)j_fh!O7w 
Depletion 耗尽 8J,ZDE_T- 
p^42 
Depletion approximation 耗尽近似 Nr0 jDC<P 
Depletion contact 耗尽接触 OA~
U 
O56V-AZ= 
Depletion depth 耗尽深度 m ~zo 
Depletion effect 耗尽效应 ?HT2Kkw=H 
Depletion layer 耗尽层 {Fsq,UJlx 
Depletion MOS 耗尽MOS \ YMxQ''Yl2 
Depletion region 耗尽区 09nWRJB 
Deposited film 淀积薄膜 ]*.l PS!| 
Deposition process 淀积工艺 sf_lD
A6 
Design rules 设计规则 ;[.Tf^pS 
Die 芯片（复数dice） ]B7kydUj 
Diode 二极管 $J,`m{Q[a 
Dielectric 介电的 5#~Mkk2 
Dielectric isolation 介质隔离 5d} 8?N<- 
Difference-mode input 差模输入 {6@wK-O) 
Differential amplifier 差分放大器 MfPX%vA x` 
Differential capacitance 微分电容 Egx9DT7  
Diffused junction 扩散结 4KK4>D&R 
Diffusion 扩散 #6KV  
Diffusion coefficient 扩散系数 s P(2e 
Diffusion constant 扩散常数 G ] / 
Diffusivity 扩散率 \~ HR5 
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 MZ`}c*wem 
Digital circuit 数字电路 \3U4/LX 
Dipole domain 偶极畴 _- hR,n 
Dipole layer 偶极层 wJm6^_!Zw 
Direct-coupling 直接耦合 SeB|Rl:s 
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 1) AkFO6 
Direct transition 直接跃迁 ''r.KohLP 
R,1ppOM: 
Discharge 放电 G\7j ^'' x 
Discrete component 分立元件 %B"9e~VU) 
D(HPP";} 
Dissipation 耗散 Ri"pj jB0D 
Distribution 分布 NJ@pSvHi<P 
Distributed capacitance 分布电容 #TBlKvgCx 
Distributed model 分布模型 `z4GW|##K 
Displacement 位移 ML3n .) 
Dislocation 位错 WX0=)*pZ 
Domain 畴 ft ? sQ 
Donor 施主 #YN_CL"l 
Donor exhaustion 施主耗尽 ;Cf~tOT 
Dopant 掺杂剂 W>lJ''U&_ 
Doped semiconductor 掺杂半导体 \GnGP!5''F 
Doping concentration 掺杂浓度 @Wh8m>_ 
Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. A8~IWxf9 
Drift 漂移 ''S AJ;G8, 
Drift field 漂移电场 9" ^^xOUF 
Drift mobility 迁移率 "A9 GXS7 
Dry etching 干法腐蚀 @eDD_4 $ 
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 ~y-ox|1 
Dose 剂量 U.[|[Qlj 
Duty cycle 工作周期 |>a#Gg  
Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装 Y11
$Q9y 
Dynamics 动态 A@(.p 
Dynamic characteristics 动态属性 rQ=p >ky5 
Dynamic impedance 动态阻抗 kv=Xl?X 
Early effect 厄利效应 /b|<yB 
Early failure 早期失效 vx#,4q 
Effective mass 有效质量 lsB=-@ 
Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系 PqT4s0g 
Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器 q%H$=C 
.}Bq23z;{ 
Electrode 电极 ]J5%+n}] 
Electrominggratim 电迁移 }W3h-J Z 
Electron affinity 电子亲和势 $MrVOZ 
Electronic -grade 电子能 7hI@= S} 
Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光 <D=[I:] o~ 
Electron gas 电子气
7  v88e 
Electron-grade water 电子级纯水 /C [e(3 
Electron trapping center 电子俘获中心 7<nl| ^ 
Electron Volt (eV) 电子伏 rbf)g<}m 
Electrostatic 静电的 H& %Kq9 
Element 元素/元件/配件 ="BoHZ% 
Elemental semiconductor 元素半导体 ) %VU=b;l= 
Ellipse 椭圆 Tz/ [7 3 
Ellipsoid 椭球 8Cw u 
Emitter 发射极 u z%&MO 
Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑 [0o3!^ 
Emitter-coupled pair 发射极耦合对 8TBMN 
Emitter follower 射随器 _sdU`h{`N 
Empty band 空带 KF6U R 
Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应 -eO,,2qb? 
Endurance test =life test 寿命测试 #>^?=)Z_D 
Energy state 能态 \H}B To0 
Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图 EUAY03 
Enhancement mode 增强型模式 CG*cyM 
Enhancement MOS 增强性MOS P,-VcG? 
Entefic (低)共溶的 yfyZCm0]{ 
Environmental test 环境测试 ju
P~4E 
Epitaxial 外延的 (d($,[_1 
Epitaxial layer 外延层 #1 0H,{/bZ 
Epitaxial slice 外延片 EYji6u7hw 
Expitaxy 外延 @3L&KR"Tk 
Equivalent curcuit 等效电路 Yswqn4DJ. 
Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子 pBv8S Z,ja 
Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器 1
*%3i< 
Error function complement 余误差函数 z"be" BML 
Etch 刻蚀 @l[mG`> 
Etchant 刻蚀剂 +Dk;`\GPl& 
Etching mask 抗蚀剂掩模 JJkZf N9@~ 
Excess carrier 过剩载流子 _D1
zgyw 
Excitation energy 激发能 9v~_0n 9 
Excited state 激发态 +<*_O+!K 
Exciton 激子 I[ h3hT 
Extrapolation 外推法 nT~H~T^ 
Extrinsic 非本征的 i7CYNP4 
Extrinsic semiconductor 杂质半导体