AMS 200 I型干法反应离子刻蚀（DRIE）设备的硅材料刻蚀速率高达32微米/分钟。设备在真空管路、工艺腔体、硅片固定装置、压力控制系统以及反应气体配送系统等方面进行了优化和改良。设备具有稳定的刻蚀速率、较低的清洗维护频率、较大的有效刻蚀面积、较快的刻蚀速率、较高的产能、较好的工艺稳定性以及优异的片内刻蚀均匀性等优点。
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