日前，诺发系统有限公司推出该公司市场领先的SABRE电镀填充系统系列产品中的最新产品SABRE Extreme™。新平台提供了经过改善的化学溶液、电镀工艺和新的硬件功能，以解决向32nm技术节点转变过程中出现的复杂问题。经验证，它的灵活性能适应多代产品的要求。现在，新系统正被一家全球领先的美国逻辑器件制造商用于45nm工艺的开发，同时也被一家全球领先的美国DRAM制造商所采用。

      SABRE Extreme是诺发公司SABRE电镀填充设备的一个新里程碑。SARBRE是半导体行业能够满足生产要求的第一套铜电镀系统。2005年SABRE所占市场份额为80%，在前10大铜工艺

      “1998年诺发公司推出了第一套SABRE系统，它推动了半导体技术从铝互连到铜互连的转变，并从此成为铜电化学淀积的标准设备，”诺发公司电镀填充事业部副总裁兼总经理David Smith说。“除了被先进的逻辑技术广泛采用外，现在我们发现存储器芯片制造商也在逐渐采用SABRE以获取铜工艺性能方面的好处。SABRE Extreme采用了非常先进的技术，很容易满足苛刻的技术要求，同时通过高生产速度和低拥有成本（CoO）提供更高的生产效率。

      SABRE Extreme采用了很多改善措施以满足45nm和32nm大批量生产的要求，其目的是通过领先的技术和更高的生产效率为客户提供最大的价值。

创新性技术：

• SABRE Extreme采用了最先进的电镀化学溶液Viaform Extreme。Viaform Extreme是为45nm和32nm节点小尺寸和高纵宽比特征结构提供优异填充能力的关键。Viaform Extreme是诺发公司和ATMI/Enthone采用排它性模式合作开发的成果，通过它可以得到高度可靠的铜薄膜，只有SABRE的客户可以使用这一产品。在供应商的帮助下，一直以来客户对诺发公司在这一领域的领先地位给予了充分的肯定和正面的反馈。
•  Extreme电镀槽采用了最新的隔膜技术以改善电镀性能和降低耗材成本（降幅大约为50%）。该电镀槽采用了一些经过以前几代设计开发和验证的特有功能，可以通过程序控制晶圆边缘的薄膜结构，以适应化学机械平坦化（CMP）的要求。

值得信赖的生产效率：

• Extreme采用了密封接触式设计，边缘去除尺寸仅为1mm，晶圆可利用面积提高了1%以上，从而可以额外增加每片晶圆的成品率。
•  通过程序控制晶圆边缘快速去除（EBR）工艺。EBR处理速度的加快提高了生产速度。其中，特别是晶圆代工客户可以从程序控制晶圆边缘去除功能提供的灵活性中受益。