铁电随机存取存储器(FRAM)是非易失存储器的一种，有望取代闪存和EEPROM，近日FRAM厂商开始将FRAM的应用领域引向嵌入式系统，而不是分立应用。
尽管该技术已经面世几年，但和主流非易失型内存相比，FRAM还没有足够的价格竞争力。但是，FRAM供应商表示，如果将它嵌入系统级芯片(SoC)则面临的价格压力较小，这也许是FRAM进入市场的一个绝好机会。
Matsushita Electric Industrial公司表示最近将开始制造内置0.18微米工艺FRAM的系统级芯片。Matsushita公司是消费电子品牌“松下”的拥有者，该公司从Symetrix公司获得FRAM技术授权。
富士通美国分公司FRAM市场主管Tong-Swan Pang表示，富士通从1999年就开始将FRAM嵌入智能IC卡、RFID等产品中。甚至Ramtron International公司，这个分立式FRAM的坚定支持者，也计划在2003年发布一系列嵌入FRAM的产品，使用工艺0.5-0.35微米工艺。
FRAM的技术特点非常适合用在对速度和耗电要求严格的嵌入式系统。Ramtron公司表示，FRAM写速度高达180ns，比闪存的1秒和EEPROM的3ms写速度要快很多，并且可以理论上无限次读写访问。其FRAM内部写电压5/3.3伏，而闪存为12伏，EEPROM更高达20伏。
Semico Research分析师Jim Handy也持同样看法，FRAM比闪存更适合作为嵌入式存储器，FRAM可以提高逻辑运算速度。但成本依然是个问题，铁电材料和硅在一起工作不是很理想，因而芯片制造商要在两种物质之间增加铂涂层，这就大大增加了制造成本
