混合信号集成电路
　　Analog Devices 公司介绍了数字转换器VersaCOMM系列的最新成员，即称为AD6623的四通道发射信号处理器。该器件是为多种形式、多种标准的无线电基站结构而设计的，额定速率为104Msps。
　　在功率放大器领域，UltraRF公司展示了PFM21020WB RF模块，它是为满足3G无线系统的严格线性要求而设计的。其主要特点包括120MHz的瞬时带宽，延迟典型值为4ns，以及最小25dB的增益。
　　Hittite Microwave公司展示了一组新系列HBT MMIC功率放大器，它们工作在4.4GHz和7GHz之间，并可提供高达29dBm的输出功率。这类放大器适合于从5.0GHz到6.0GHz的低成本UNII和 HiperLAN方面的应用。
　　Alpha Industries 公司展示了AA026P2-A2型功率放大器，它的主要特点是，具有23.5GHz 到 26.5 GHz频率范围和16 dB的平坦增益。该公司还将展出其AA032P-A4型功率放大器，它覆盖29GHz 到 32GHz的范围，并且具有1dB的平坦增益。
　　Velocium公司展示了DV2401 和 DV2101型高速二分频的分频器。它适用于高达50 GHz的光纤和宽带无线应用。这两种器件都是采用磷化铟工艺开发的。
　　RF Micro Devices 公司展示的一种产品是用于EGSM/DCS/ PCS电话听筒的RF2417三波段低噪声放大器。这种SiGe HBT BiCMOS器件在EGSM方式中消耗4mA电流，而在DCS 和 PCS方式中消耗5.5 mA的电流。
　　M/A-COM公司展出了用于功率放大器的MAFRIN0160/ 4/5/6/7系列大功率、低交叉调制隔离器。这种器件可工作在从869 MHz 到 2.19 GHz的标准频率范围内。

振荡器
　　Saronix 公司展出了SDS3811 LVDS时钟振荡器。它们可提供从104MHz到 350 MHz的频率，同时也覆盖了250MHz Infiniband的应用。这种振荡器在3.3 V下消耗18 mA的电流，具有低于1 ns的上升/下降时间，并能维持低于8 ps的抖动。
　　Vectron International公司展示了EX-380/385系列真空微型烘箱控制的晶体振荡器。该器件适用于从10MHz 到 80 MHz的范围，并可在从-40℃ 到 85℃的整个范围内提供±10-7的稳定度。
　　C-MAC Microtechnology 公司展示了CFPR-9005/8 和 CFPT-9057/61 TCXO。它们是该公司的专利产品，以四阶模拟温度补偿ASIC为基础。从 -20℃到70℃，TCXO提供的温度补偿优于±3ppm，在10kHz时，其相位噪声为-95dBc/Hz。

软件
　　在软件领域，Elanix公司发表了iFi 802.11b程序库，它有IEEE 802.11b的全部性能。该库除了包括高级802.11b数据包的生成外，还包括供个别调制器/解调器用的低级功能块。
　　Ansoft公司展示了HFSS 8.5 EM模拟软件，它包括一个64位的EM模拟器，在结构、大小和复杂性方面有十倍的增长。
　　Eagleware公司介绍了射频/微波系统分析的一种新的方法。该公司展出了包括Spectrasys在内的Genesys 8.1，一种全频域的系统模拟器，它能分析信号的潜通路、全通道带宽以及测试前不知道的系统的相互作用。

测试设备
　　Agilent Technologies公司展出了性能频谱分析仪（PSA）系列的两个新的分析仪模块。这种新的分析仪对PSA线路增加了44GHz (E4446A) 和 50GHz (E4448A)的测试能力，以符合像1xEV-DO、 W-CDMA、CDMA2000和 GSM/Edge这样的最新通信格式。
　　OphirRF公司展示了可提供10W到50W功率的一系列线性微波放大器。这类放大器支持从0.8GHz到4.2GHz的频率，就是说它覆盖了包括GSM、 PCS和IMT-2000的所有主要频段。
Keithley Instruments 公司展出了System 40产品系列，它的混合电路的开关功能已被扩大。这种新的性能实际上能使系统实现任何一种形式的开关操作：包括直流电压和电流、射频、微波、光、数字信号或任何其他组合。
　　制造Luneberg透镜的一种新的方法由Emerson & Cuming Microwave Products公司来说明。作为相控阵列技术的一种替代形式，这种新的工艺采用了低损耗的介电合成材料，结合电磁设计技术来构造高增益、大功率的物镜天线。

无源及分立元件
　　C-MAC Microtechnology公司展示了一对无源MOSFET四混频器CM2002-800和CM2002-1900，它们被优化用于800和1900MHz的应用，如GSM800、 PCS和 3G等的向下变频。CM2002-800在750MHz和850MHz之间存在一个LO（本振），在820MHz和920MHz之间存在一个RF，而典型的变换损耗为7.8dB;CM2002-1900在1540MHz和1740MHz之间存在一个LO，在1800MHz和2000MHz之间存在一个RF，典型的变换损耗为7.8dB。
　　来自Gowanda 公司的SMRF 1812 SMT RF电感，采用高温电磁导线、半导体级环氧树脂以及位于中心的线圈，以通过各种试验。比如在负载下做1000小时的85/85湿度试验，满载下的2000小时寿命试验，200次温度冲击循环，10次的1米跌落试验和4.4磅的剪切力试验。该元件可获得从1 μH到1000 μH的电感，而电流的额定值从30mA到450mA。
　　AVX公司已开发出SQ系列RF功率电容器，对于大电流应用，典型的Q值最小可达10000，该元件的工作电压为300Vdc 到4000Vdc，电容值从10 pF到10000pF，而温度系数为90±30ppm/℃。
　　来自California Eastern Laboratories 公司的UPG2008TK GaAs SPDT MMIC开关，尺寸为11.5mm(长)×1.3mm(宽)×0.55mm(高)，是SOT-363封装开关的一半。该元件在1GHz的情况下的接入损耗为0.4 dB，而在从0.5 GHz 到 2.5 GHz的隔离典型值为25 dB。
　　Polyfet RF Devices公司的L8711P LDMOS晶体管做成低成本的塑料S80P封装的形式。在封装的底部带有一个附加的源极端子，用做散热。这种7W器件的输出额定值为500 MHz，最小增益为10 dB，BVDSS为40 V，前向跨导为1.7 Mho。