去年,模拟线路和混合信号集成电路的开发仍然是沿着产业界的要求：缩小体积,降低成本和减少功率消耗在进行。在模拟集成电路产品中,Analog Devices公司（位于马塞诸塞州的Norwood）提供的AD855x/857x自动归零运算放大器（参看《今日电子》 1999第9期,p43）比较出色,是3到5V运放中精度最高的品种。当供应批量超过1000只时,每只的价格为1.14美元,比同类的相当产品低50%。器件的精度超过20位,在 - 40～125℃的温度范围内,电压漂移不超过1μV。

----这些运算放大器的噪音也很低,无1 / f噪音,过载后恢复也很快（最大约为200～250μs）。输入和输出均可满量程下运行。

----Microtune公司（位于美国得克萨斯州的Plano）推出的微调谐器Microtuner（本刊去年第５期,p36）是一种集成化的宽频带TV调谐器用IC,它的体积比现有的分立器件小,而且不需要人工调整。它可以用于有线电视作双变频调谐器,也适合应用于广播电视作一次变频调谐器。它还具有选择性高,镜像抑制性能好,和阻抗匹配性能好等优点。

----在比较器一类的产品中,Linear Technology公司（位于美国加州的Milpitas）开发的高压绝缘的仪器用比较器LTC1531（见本刊去年第５期,p35）以其自置供电线路和采用SSOP封装为特色。它的电容绝缘隔离可以耐受3000Vrms的电压。供电的一侧,还具有锁存的数据输出端和一个脉冲零交叉电平的输出端。

----在分立半导体器件方面,仙童半导体公司（位于美国加州Sunnyvale）宣布的FDC6306P双p-沟道功率MOSFET（参看Electronic Products, June 1999, p. 76）,在同样封装大小的同类器件中具有最小的导通电阻RDS（ON）。FDC6306P在VGS = - 4.5 V和ID = - 1.9 A时,导通电阻最大不超过160mΩ;在VGS = - 2.5 V和ID = - 1.7 A 时,最大不超过230mΩ。2.5V的MOSFET是封装在公司自己开发的Super-SOT-6封装中。

----该器件的最大额定数值有以下几项：VDSS = - 20 V ;VGSS = ± 8V ;连续ID = - 1.9 A ;脉冲ID = -5 A 。栅极电荷的典型值为3nC。

----Vishay Siliconix公司（位于美国加州的Santa Clara）推出的Si4430DY的n-沟道MOSFET（参看本刊去年第5期,P.34）导通电阻减低到4mΩ,封装采用8引出端的SOP封装。该MOSFET的工作电流可达 28 A , 耗散功率可达3.75 W。

----该晶体管没有采用一般功率MOSFET晶体管在封装中经常采用的键合引线连接方法,而是直接将硅芯片连接在铜引线框架上,使连接引线的数目加倍并使引线框架直接和芯片相连接。这样一来既改进了晶体管的热性能又增加了封装上可以用来安装芯片的面积。

----在EDA软件方面,OrCad公司（位于美国奥勒冈州的Beaver）在互联网上设立称为activeparts.com的网址,联机免费提供零部件产品样本（参看本刊去年第10期,P7）。用户可以使用线路图输入工具从提供的零部件产品样本中（样本中包括的零部件超过500000种）选择零部件,并直接将它们下载到自己的设计中去。