摩托罗拉在GaAs技术上取得重大突破[新闻热点]

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摩托罗拉在GaAs技术上取得重大突破

发布时间:2001年9月7日点击次数:13

来源:中电网作者:

摩托罗拉公司宣布,摩托罗拉实验室已经在III-V族材料的生产工艺上取得重大突破,成功地在一个硅片上制作出了砷化镓（GaAs）晶体管。

通常,III-V族材料和硅之间由于晶体结构不同,是不能粘合在一起的。同时又因为这些材料即GaAs、InP（磷化铟）以及GaN（氮化镓）等都非常脆,所以GaAs圆片的直径不能超过6英寸,InP圆片的直径不能超过4英寸。摩托罗拉的创新之处是在硅和III-V族材料之间引入了一层其他的材料,从而能在硅片上用一层极薄的III-V族材料来制作晶体管。这样不但能提高这种材料的生产率,其工作频率也可达到创纪录的70GHz,并可制作用于光纤通讯的半导体激光器。

这种技术的另外一个应用是可以将激光器同其它IC共同制作在同一个硅片上,从而使通讯设备更为小巧、高效,并有可能大幅度提高目前光纤通讯线路的使用率。据称,摩托罗拉已经准备为此技术申请270项专利,并准备大范围地发放这种技术的使用许可。

分析家认为,这一突破性的技术将是半导体历史上有决定意义的一个进步,有可能对整个产业产生决定性的影响。

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