台湾两大芯片制造厂同时采用0.13um工艺[新闻热点]

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台湾两大芯片制造厂同时采用0.13um工艺

发布时间:2001年5月3日点击次数:12

来源:中电网作者:

世界两家最大的半导体制造厂,台湾半导体制造公司（TSMC）和联合微电子公司（UMC）都采用了0.13um工艺。小于100纳米的门线宽使门级延迟可减小到10ps。门密度可超过200,000门/mm2。此外,还可生产出标准的不同阈值电压晶体管,从而可在同一芯片上有更多的器件选择,实现低功耗和高性能。TSMC和UMC两家采用的技术许多方面都相同,他们成功地在铜金属连线间集成了低K介电绝缘材料,使互连线的RC延迟下降20%甚至更多。但采用的低K电介质材料不同。UMC选择的是SiLK材料,K值约为2.65（目前采取的FSG的K值为3.6）。TSMC则采用了来自AMI公司的K值为2.9至3.0的黑金刚石（Black Diamond）介电材料。同时,两家公司都在积极解决采用低K值材料所带来的电迁移问题。两家提供的片上存储器集成方案也不同,UMC可为客户提供片上集成DRAM以及六管SRAM所需要的宏。TSMC提供的则是单管SRAM,体积比六管更小。两家公司都将0.13um工艺视为一个里程碑,并努力争取获得无制造厂设计公司以及所谓集成器件制造商们的青睐。

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