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新型存储器技术有望达到最高速度 |
| 发布时间:2004年1月21日 点击次数:435 |
| 来源:今日电子 作者:Gary Evan Jensen |
这种叫PSiRAM的器件采用能感知电流变化而不是电压变化的专利三晶体管单元。它由2Mb×16bit组成32Mb器件,工作电压1.2V。0.8V下的工作情况也进行了测试,在0.8V电压下,该器件速度超过400MHz,功耗不到0.125W。 |
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