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新型隧道二极管打破了电子速度记录

发布时间:2005年10月13日 点击次数:2392
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由来自俄亥俄州大学(位于美国俄亥俄州首府哥伦布)、海军研究实验室(位于美国华盛顿特区)和加利福尼亚州大学(位于美国加利福尼亚州Riverside)的研究人员所组成的研究小组制成了一种隧道二极管,与性能最为接近的同类产品相比,该二极管的电流速率提高了两倍。这一研发成果有望造就面向蜂窝电话等无线和混合信号应用的速度更快、价格更低且体积更小的电子元件。
---直到最近,隧道二极管不仅难以实现规模生产,而且还不具备与当今电子产品中所使用的硅芯片的兼容性。该研究小组在研究基于硅的隧道二极管的过程中采用了一种带间隧道二极管结构,这种结构需要掺杂质,而非传导频带偏移。
---研究小组将大量的掺杂物灌输到硅材料中,并通过控制温度的方法成功地制作出了一种适合于高隧道效应电流的二极管。该二极管的导电能力达到了151 000A/cm2;相比之下,目前家用标准配线的最大电流输送密度则仅为700A/cm2。
---研究人员在开发该二极管的过程中得到了美国国家科学基金会的支持。如需获得更多的相关信息,请与俄亥俄州大学的该项目研究主管Paul Berger(网址:http://eewww.eng.ohio-state.edu/~berger)或美国国家科学基金会的公共信息发布官Josh Chamot(电话:001-703-292-7730;电子邮件:jchamot@nfs.gov)联系。

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