在2003 ITRS中提出了一个新的概念叫做“hp”专指集成电路中的第一层金属线尺寸的半间距(如hp 90nm将于2004年实现)。ITRS展示了一些主要的技术问题,这些挑战可分为两部分,改善性能和低成本生产,可总结为短期(2003-2009年)和长期(2010-2018年)时间段的蓝图(图1)。
蓝图提出的其它问题还包括:发展新的叠层栅结构、工艺和材料,用新型存储材料的CMOS集成和工艺,关键尺寸(CD)和有效栅长(Leff)的控制,光学掩膜与后光学掩膜的制备。ITRS全文可见http://public.itrs.net。

