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SILTRONIC获得SOITEC的SMART CUT技术特许权,用于SOI和应变SOI晶圆的生产 |
| 发布时间:2004年3月23日 点击次数:472 |
| 来源:半导体国际 作者: |
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[半导体] 相关文章: 英特尔最新90纳米工艺NOR闪存,体积减小50%简介:
在日前于美国旧金山召开的英特尔信息技术峰会(IDF)上, 英特尔公司推出了全球第一款采用90纳米制造工艺生产的NOR闪存产品--英特尔无线闪存。据称该款产品是英特尔发展的第九代闪存技术,将保留无线手持设备制造商所要求的高性能闪存特性。 采用90纳米制造工艺生产的英特尔无线闪存的晶片尺寸大小比前一代闪存的晶片要小50%左右,这将有助于降低成本,同时成倍提升英特尔的制造能力,以满足客户的需求。 第一个采用90纳米的闪存产品将为单比特每单元(single-bit-per-cell)产品,今年晚些时候将推出采用英特尔多层单元(MLC)技术的产品,它可在一个单元中容纳两倍的信息量。 "...... ChipPAC推出铜和低k绝缘体90纳米封装工艺
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