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NEC公司（位于日本东京）所开发成功的单芯片氮化物半导体功率晶体管试验样品,创造了新记录,首次突破了100W的输出功率。这项成果,是为了适应移动通信的要求而开发的。移动通信产业的基站,需要更小体积、更高输出功率的放大器。
目前的基站采用的是砷化镓芯片,是用4个芯片安装在同一个封装内,总的输出功率可以达到 240 到 300 W。如果进一步增加组合芯片的数量,不但使封装的尺寸增大,也不可避免地增加了功率损耗,同时也加大了偏置电流。这些限制使得输出功率很难超过300 W,甚至是根本不可能。
试验样品采用的是异质结结构。异质结中采用了双层结构,一层用的是氮化镓层,这是蓝色LED激光器所用的一种主要材料;另外一层用的是氮化铝镓。采用双层结构以后,使偏置电压得以超过 40 V。结构中的蓝宝石薄层（50微米）和热短路桥路电极,都有助于将功率输出提高达3倍。
最大输出功率是在 2 GHz、占空比为 10% 的条件下测得的,最大输出功率达到 113 W。在此以前,氮化物半导体晶体管的最高输出功率记录是由 Cree 公司（位于新喀里多尼亚的Durham）创造的,输出功率达到 51 W 。将4个与此次试验样品相同的晶体管,按照工业界的标准方法组合起来构成一个器件时,其输出功率将超过 450 W;远远超过目前的最高水平。
NEC公司打算继续进行研究,进一步提高芯片的功率输出能力,延长其工作寿命。计划在今后的两三年内能够将此器件实现商品化。如果希望进一步了解情况,请和NEC Europe的Kazuya Yoshida(kazuya.yoshida@uk.neceur.com)或者Claire McSharry (claire.mcsharry@uk.neceur.com )联系,电话号码为：0-11-44-0-20-7853-5900。
----Joseph Suda/王正华译
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