台联电(UMC)最近宣布， 开始使用无铬膜相位移光罩(Chromeless Phase-shift Mask，Cr-less PSM)微影技术，并称已成功地在90纳米工艺量产客户的功能性产品。该公司表示，由于结果满意，将导入Cr-less PSM光罩技术及193nm光学扫描机进行65纳米工艺研发。
　　据称，运用Cr-less PSM微影技术，可以改良微影线宽均匀度及线缘粗糙度的控制，意即客户 电路设计将会更正确地被复制在晶圆上。光罩的使用就如同使用一张底片一样，直接将电路布局图转印在半导体的晶圆上。联电是使用193nm光学微影的技术，透过光罩来投射单一影像到晶圆上。
　　新的Cr-less PSM微影技术不像传统的二元铬膜光罩，它是利用石英的phase shifter取代铬膜来定义图案轮廓;此外，由于反相干涉，phase shifter的边缘会形成暗线，当phase shifter宽度小于可解析距离时，在两边形成的暗线会结合成一条，就如同一条铬膜形成的线一般。
　　由于每层的边缘均利用到破坏性干涉，可以得到高对比度的光线强度分布，因此也增进了微影的分辨率和微距控制的结果。因PSM技术需要两次的曝光来定义一层图案，而每一个电路布局图层需要两个光罩，将会增加量产成本并降低生产效率。
　　而Cr-less PSM光罩微影技术比双重曝光的PSM技术在晶圆制作上变得更有效率;联电并开始评估在65纳米工艺中，使用Cr-less PSM微影技术并结合其它分辨率增强技术。