位于美国加州Sunnyvale的Philips半导体公司是皇家Philips电子公司的一个分部，它所推出的第三代TrenchMOS（深槽MOS）工艺技术，可以将以MOSFET为基础的电路单元的尺寸进一步缩小。这项工艺技术是针对奔腾4甚至更新一代微处理器的技术要求而开发的。采用此项工艺技术以后，器件的单元密度可以达到50M单元/平方英寸。

　　此项工艺可以制成200V以下的MOS器件，可以广泛应用于dc/dc变换器，电压调节器，和syncFET等器件之中。现在推出的产品是属于这类器件中25到30V这一档的器件。

　　第三代工艺技术的特点包括：低阻的特殊导电层，方块电阻可达22mΩ/mm2-比现在一代工艺制成的电阻低40%。亚微米的槽宽降低了栅漏电容，减少了栅极电荷，从而可以使器件的耐用性提高20%。

　　当在未嵌位条件下进行感式能量交换时，如果脉冲持续时间不超过0.1ms，峰值功率可达1kW/mm2。此外，第四代的工艺技术也正在开发之中，至于第五代工艺技术则已经列入了计划。如果希望了解更多的情况，请访问以下网址：http://www.semiconductors.philips.com。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　----Christina Nickolas/王正华译