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第三代TrenchMOS技术开发成功

发布时间:2002年2月21日 点击次数:398
来源:今日电子   作者:
 
位于美国加州Sunnyvale的Philips半导体公司是皇家Philips电子公司的一个分部,它所推出的第三代TrenchMOS(深槽MOS)工艺技术,可以将以MOSFET为基础的电路单元的尺寸进一步缩小。这项工艺技术是针对奔腾4甚至更新一代微处理器的技术要求而开发的。采用此项工艺技术以后,器件的单元密度可以达到50M单元/平方英寸。

  此项工艺可以制成200V以下的MOS器件,可以广泛应用于dc/dc变换器,电压调节器,和syncFET等器件之中。现在推出的产品是属于这类器件中25到30V这一档的器件。

  第三代工艺技术的特点包括:低阻的特殊导电层,方块电阻可达22mΩ/mm2-比现在一代工艺制成的电阻低40%。亚微米的槽宽降低了栅漏电容,减少了栅极电荷,从而可以使器件的耐用性提高20%。

  当在未嵌位条件下进行感式能量交换时,如果脉冲持续时间不超过0.1ms,峰值功率可达1kW/mm2。此外,第四代的工艺技术也正在开发之中,至于第五代工艺技术则已经列入了计划。如果希望了解更多的情况,请访问以下网址:http://www.semiconductors.philips.com。

                     ----Christina Nickolas/王正华译

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