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美光欲投35亿美元巨资扩充NAND闪存设备 增强自身竞争力

发布时间:2006年8月21日 点击次数:334
来源:SEMI   作者:
 

据半导体国际网站报道,美光(Micron)全球执行长Steve Appleton近期表示,美光将会在2007年度投入35亿美元巨资扩充NAND闪存设备。

据分析,美光希望在竞争激烈的NAND闪存市场中,与三星电子及东芝等大厂竞争。这笔大投入应该是用于扩增美光与英特尔共同出资成立的IM Flash自有12寸厂产能所需的机器设备,以便能在2008年让自有晶圆厂顺利运作。
 
近来几家NAND闪存一线厂商对于投资扩产大力下手,东芝近期公布的2008年度半导体事业计划细项表明,将更积极布局NAND闪存,计划第五座厂最快在2008年内开始投产,其投资金额将高达6,000亿日圆(约51.03亿美元)。


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