据EE Times网站消息，IBM公司3月23日宣布已开发出碳纳米管上的集成电路。该技术将来会大幅提高下一代芯片产品的速度。

IBM通过12个晶体管沿碳纳米管方向首尾相连构成一个五级环形振荡器。相关结果将发表在3月24日的《科学》杂志上。

“通过调整p型和n型晶体管栅的工作方式可以获得CMOS结构。”IBM公司说。

这些器件集成了碳纳米管和场效应管的优点。据IBM公司说，“单壁碳纳米管已经被证实有优异的电特性，例如室温下几百个纳米距离内的弹道输运现象。”

“碳纳米管制成的场效应晶体管在直流方面表现出超过目前最先进晶体管的性能。现在最重要的就是制造单壁碳纳米管的集成电路以验证其高频特性。”该公司表示。

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http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml;jsessionid=TSE1GCTZ1WJF0QSNDBGCKH0CJUMEKJVN?articleID=183702379