NanoRuler标准原型展示了SEM校准的多条线。其最终版本将提供6条15-140nm宽的线。（来自：VLSI Standards)

　　VLSI Standards开发了一种能够在一个芯片上以非常低的不确定性产生多线宽标准的方法。其NanoRuler支持控制光刻工艺的完全可追溯标准。它能提供下至15 nm的准确参考值。标准的低不确定性（1.0 nm 3σ）将能进行设备的诊断和线性匹配以保证所有的测量是理想的。NanoRuler是放弃低不确定性单线的专利计量的结果。此技术不采用光刻和基于等离子刻蚀的工艺,因为这些工艺现在还存在着不确定性,其典型值在2-3 nm或更高。新标准中的线条是通过薄膜多晶硅和SiO2淀积工艺得到。这就允许原子挨原子去制作每一线条,使用TEM得到横截面并计算硅晶格来校准线条的校正技术确保满足其在物理基础限制上的要求。这就得到一个能够满足要求的校准标准,它是通过一组数值而不是一个点实现的。

　　多线宽校准点对建立准确的线性校准和匹配很关键。以45 nm节点工艺为例,刻蚀后,栅尺寸可能是25 nm,但除此以外,也需要校准其他层上不同的结构。NanoRuler由两组宽度可变的六条线组成 - 15, 30, 50, 75, 105 和 140 nm -将可用于如今的量产工艺,也可用于R&D。由于每个标准的低不确定性是一致的,对于现在和将来的技术节点,在量产和发展中的晶圆厂中实现设备的准确匹配是可能的。

　　新标准的一个重要特色是组成标尺的线比以前的单线版本更长,长度被验证有3 mm长。这种线长很重要,因为当CD-SEM测量一条线时,用于进行线条曝光的电子束引起空气中有机物的淀积和带电,线的宽度不可避免地发生改变。因此,有很多测量点的长的标准线变得重要。新标准中的线条将被认定具有足够的长度,可达到8 mm。那么在每12条线上有多达8000个测量点,较之以前,扩展了标准的寿命和ROI。这个新标准使行业具备了低不确定性标准来应对降低总计量不确定性的挑战,这对控制现在和将来的光刻工艺都很重要。