据电子资讯时报网站报道,韩国存储器大厂海力士(Hynix)近期宣布将再次加码投资扩产,再次将2006年的资本支出从3.6兆韩元(约37.5亿美元)增加到4兆韩元(约41.7亿美元),以扩充存储器芯片生产设备,海力士同时也希望寻求更多的合作伙伴。

海力士在2006年6月就已经发行过新股筹措资金,近期则在8月初宣布将投资1.26兆韩元(约13亿美元),以扩充及升级存储器产能及相关研发实力,其中一部份投资将作为NAND闪存导入60nm工艺之用。如今预计将再发行4亿美元的可转换公司债券,不过具体时间尚未决定。

海力士策略发展资深副总裁O.C. Kwon表示,海力士预计大陆12寸新厂将在2007年初提前量产NAND闪寸。而该公司在江苏省无锡与意法半导体(STMicroelectronics)合资成立的晶圆厂,以生产DRAM为主。他表示,NAND闪寸将在9月提高合约价,并预期10月、11月的价格会趋于稳定。

Kwon进一步强调,由于微软(Microsoft)的新操作系统Vista即将上市,执行Vista计算机将会需要较多的存储器容量,现阶段的DRAM需求上升,而存储器厂为了因应需求而进行转换工艺仍碰到一些问题。所以当目前DRAM需求超乎预期时,海力士将会调整原本DRAM与NAND闪寸6：4的产能分配,持续增加DRAM的产出比重。

另外,Kwon透露,海力士将会增加策略合作的伙伴,以强化该公司的营运与竞争力。目前海力士与意法、茂德为合作伙伴,Kwon表示,由于产业资本投入相当庞大并且技术持续在进步与变革,海力士将会寻求合作对象共同投资设厂。