---在最近美国夏威夷举行的本年度VLSI电路学术研讨会上，Infineon公司（位于德国慕尼黑）推出了世界上首个16Mb磁阻RAM（MRAM）样品。这项由该公司与IBM公司（位于美国加利福尼亚州圣何塞）历经数年共同开发而成（见《Electronics Products》2001年8月刊第24页）、并于最近转让给上述两家公司的合资企业Aldis（位于法国Essonnes）的MRAM技术突破了非易失性存储器在速度、功率以及密度方面的局限性，因而有可能在未来的几年之内引发计算机工业的一次革命。
---与传统的计算机芯片不同，MRAM芯片是采用磁化（而不是电荷）来存储信息的。不过，MRAM芯片中的信息在系统电源被移开之后仍然保持完整。
---这种16Mb芯片样品的运行速度比手持式电脑和数码相机中所使用的非易失性快闪存储器大约快1000倍。从理论上说，采用MRAM主存储器的计算机可在未经启动程序的情况下加电，在电源被移开的瞬间立即启动，并消除了与恒定更新周期有关的功率消耗。如欲了解更多信息，敬请访问http://infineon.com 和 http://www.altissemiconductor.com/index_en.htm网站。