|
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
东芝和SanDisk将新建300mm晶圆厂,迎合NAND闪存市场增长 |
| 发布时间:2006年5月2日 点击次数:415 |
| 来源:半导体国际 作者: |
东芝和SanDisk公司日前证实,双方确实正在计划在日本四日市(Yokkaichi)再兴建一座300mm NAND闪存晶圆厂,并且该厂的建设和投产时间都早于之前的报道。新建工厂的代号为“Fab4”。 此次,这两家公司没有更多披露计划投资额,只是证实了建厂计划,但表示将于2006年8月开始动工,计划在2007年第四季度开始初步生产。促使它们作出新建NAND新厂决定的原因很明显,包括MP3播放器、手机存储卡在内的移动与数字消费产品内存应用推动下,NAND闪存市场迅速增长。 双方称,东芝将为新建的工厂提供厂房的建设资金,两个公司一同提供制造设备资金,具体的预算细节并未透露,但据媒体估计应该在6000亿日元(51亿美元)左右 。而且双方表示Fab4和它们2005年夏合资建成的Fab3规模相当,并计划扩大Fab3的产能. |
|
|
|
|
[半导体] 相关文章: 三星采用70纳米制造工艺量产OneNAND闪存简介:
三星电子公司日前宣布,将开始量产1Gb容量的三星采用70纳米制造工艺量产OneNAND闪存 。 OneNAND闪存最初设计用于手机的存储设备,该器件结合NOR闪存的高速读取数据功能和NAND闪存的数据存储密度。这种单芯片基于NAND闪存架构,集成了数据缓存和逻辑接口。 新的OneNAND内存面向移动手持设备,包括数码相机用的存储卡和磁盘驱动设备。三星表示,OneNAND闪存具有高达每秒108Mb的持续读取速度,以前的90纳米OneNAND器件持续写速度为每秒68Mb。在写速度方面为每秒9.3Mb,这与90纳米器件相同。 据称,这款70纳米的存储器已被设计用于超过100种移动产...... 光刻模拟系统
光刻光源
离子注入设备
Isuppli调整NAND Flash和DRAM市场评估
RF Micro扩充晶圆厂满足手机市场需求
中国IC供不应求,供应缺口达440亿美元
中芯挤入05年晶圆代工厂商排名前三
上海先进即将上市,预期上半年扭亏为盈
Surface Technology Systems赢得MEMS生产设备订单 |
|
|
|