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Royal Philips Electronics公司（位于美国加利福尼亚州圣何塞）已经宣布推出其第五代LDMOS (Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)技术,该技术使W-CDMA基站制造商首次突破了30%的RF功率放大器输出级效率瓶颈。与目前批量生产所采用的LDMOS技术相比,此项技术将效率提升了4%。
---此外,该技术在降低运行成本、耗散功率及发热量的同时,还可使RF功率放大器的功耗降低15%以上。采用0.14μm CMOS制造工艺的RF功率晶体管正在首次采用LDMOS技术进行生产,并有尺寸为0.40μm、采用四层AlCu喷镀的产品供应,从而取代了该公司前几代器件所采用的黄金镀层。与竞争对手目前所采用的两层铝喷镀相比,这些金属镀层将器件的可靠性提高了三倍,并降低了晶体管的寄生响应。
---由于可靠性的提高,第五代LDMOS晶体管的工作结温最高可比传统型器件高出25K。这将使基站放大器所采用的散热器体积更小、成本更低。
---这种晶体管将首先应用于UMTS和2GHz PCS/DCS波段,预计将在2004年第四季度推出样品（批量生产计划于2005年第二季度开始）。BLFG22-100 W-CDMA晶体管可提供17dB的增益、-39dBc ACLR5、30%的效率（当平均输出功率为26W时）以及超过160W的峰值输出功率（在10MHz以及8.5dB PAR/0.01%CCDF概率的条件下）。如欲了解更多信息,请登录http://www.philips.com/rfpower网站。
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