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SST与TSMC扩大嵌入式闪存合同 并开展90nm合作 |
| 发布时间:2006年8月21日 点击次数:505 |
| 来源:SEMI 作者: |
据ee times网站报道,Silicon Storage Technology Inc.(SST)与Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.Ltd.(TSMC)近期宣布将扩大其嵌入式闪存技术的合作。 根据协议条款,作为TSMC嵌入式闪存的一部分,TSMC将授权SST下一代90nm SuperFlash技术。 SST 90nm SuperFlash技术将主要面向于应用需求,例如64-bit MCU核、高速ASIC和多媒体IC等。该技术将利用具有Split-gate和Poly-erase特征的存储单元。 相关链接（英文）： |
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