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两种新半导体材料有望替代二氧化硅

发布时间:2002年7月10日 点击次数:5
来源:中电网   作者:
 
摩托罗拉半导体产品部数字基因实验室与南京大学和中国科学院物理研究所联合宣布,双方已经找到两种新的物质可以作为金属氧化物半导体场效应器件的绝缘层,这两种新的物质将最有希望替代二氧化硅。

摩托罗拉总公司副总裁兼半导体产品部首席科学家路易斯表示,一旦采用这两种薄膜材料———铝酸镧和镧铝氧氮,将会使半导体工业在器件的尺寸缩小到65纳米以下,并仍能继续遵从“摩尔定律”。这意味着在不对现有的设备和工艺流程进行昂贵的修改前提下,将能生产出更小、更快的芯片。 

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