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Intel要用0.09微米制造工艺开发新P4

发布时间:2002年3月14日 点击次数:5
来源:中电网   作者:
 
Intel公司日前表示,将利用0.09微米制造工艺开发出新一代存储器产品。该SRAM(静态存储器)芯片面积约为109m2,集成了3.3亿个晶体管,可存储52Mb的数据,是当前密度最高静态存储器。

据悉,Intel公司当前运行速度最快的芯片采用的是0.13微米制造工艺。而0.09微米制造工艺的开发成功,将使芯片的体积将缩减1/2左右。另外,由于制造工艺精密,同等体积的芯片上可以集成更多的晶体管,因此芯片的功能也将得到扩展。 采用0.09微米制造工艺还有助于提高芯片的性能。因为如果采用0.09微米制造工艺,芯片的栅极长度要低于0.05微米;而采用0.13微米制造工艺,栅极长度将达到0.07微米。栅极长度越小,晶体管的工作频率就越快。

Intel公司表示,公司下一代Pentium 4处理器“Prescott”将采用0.09微米制造工艺。

0.13微米制造工艺是在2001年年中投入商业化使用的,而0.09微米制造工艺预计将于明年夏季成为市场上的主流技术。

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