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三星计划将0.13微米工艺应用于量产

发布时间:2001年12月14日 点击次数:6
来源:中电网   作者:
 
三星电子日前透露将于明年上半年开始量产0.13微米工艺的IC,该公司针对不同的IC产品推出了三种不同的生产工艺。

三星电子已开发成功采用铜互联技术的0.13微米工艺,主要面向高性能、低功耗的SoC及微处理器产品。该公司还开发了采用铝互联的0.13微米工艺。三星表示利用自己的技术能为低成本的SoC产品制造出世界上最小的SRAM存储单元。

普通的0.13微米工艺将应用于一般的SoC设计,而其中一种高速版本将应用于CPU和网络装置。该公司开发的一种低功耗的0.13微米工艺主要面向手机和PDA等移动装置。三星称其0.13微米工艺是在11月份开发完成的。

该公司表示,0.13微米工艺将于2002年上半年应用于量产,产品主要是高性能微处理器和20种以上的SoC。

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