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富士通和Ramtron开发成功0.35微米FRAM

发布时间:2001年8月16日 点击次数:10
来源:中电网   作者:
 
美国的Ramtron和日本富士通公司共同宣布,他们已经完成了0.35微米、3V的多层金属FRAM(ferroelectric random access memory)制造工艺的开发,这种产品不久就可上市。

这是这两家公司两年合作开发的成果,其目的是提高标准FRAM产品的性价比,并推动基于FRAM的集成电路的发展,比如嵌入FRAM的微控制器和ASIC等。据富士通公司说,这种产品性价比很高,对FRAM来说是一个极佳的扩大应用范围的机会。

这两家公司从5年前起就开始合作研究FRAM技术,并已经生产了1Mb的FRAM内存以及带有64Kb FRAM内存的微控制器等产品。目前,富士通生产FRAM用的是0.5微米的工艺。

现在这种新的生产工艺正在富士通公司的生产线上进行验证,预计今年晚些时候即可开始正式生产。

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