华亚半导体12英寸晶圆厂动土[新闻热点]

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华亚半导体12英寸晶圆厂动土

发布时间:2002年12月5日点击次数:13

来源:中电网作者:

我国台湾地区的南亚科技与德国英飞凌科技（Infineon）公司合资的DRAM厂华亚半导体12英寸晶圆厂开始动工。

为了降低单位制造成本,并扩大生产规模抢占市场占有率,DRAM厂商积极进行12英寸晶圆厂兴建计划,其中英飞凌与茂德科技已开始以0.14微米工艺量产256Mb DRAM,三星、力晶、Micron等则开始以0.13微米工艺试产投片。而南亚科技与英飞凌正式签订了标准DRAM产品策略联盟协议。

华亚半导体由南亚与英飞凌以1:1的出资比例合资成立,三年内投资金额将达22亿欧元。该厂预计于2004年下半年建成,并以0.11微米工艺量产大容量DRAM,月产量可达2万片规模。2006年月产量则将提高至5万片,可望成为全球最大的DRAM制造厂之一。

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