非易失性铁电存储器 (FRAM) 和集成半导体产品供应商Ramtron International 公司宣布推出512 Kb的3V非易失性 FRAM器件 -- FM25L512,带有高速串行外设接口 (SPI)。该款器件采用8管脚微型封装,能够提高数据采集和存储能力,并且削减应用成本和PCB空间,应用领域从多功能打印机到工业用电机控制器等。

Ramtron 副总裁Mike Alwais称：“FM25L512为我们的256Kb 串行FRAM用户在相同的小占位面积中提供双倍的存储容量。这样,系统设计人员在下一代的打印机和电机控制设计中,无需增大线路板面积便可提高数据采集能力。”
 
Ramtron 的FM25L512是带有工业兼容SPI接口的512Kb非易失性FRAM,充分发挥了FRAM技术的高速写入能力。该硬件上可以直接替代相应的EEPROM,而且性能更佳,并能以高达20MHz的总线速度执行无延时的读写操作,同时提供10年的数据保存能力,以及几乎无限的读写次数和极低的工作电流。FM25L512 器件的工作电压为3.0 到 3.6V,可在 -40 ℃ 至 +85℃ 的工业温度范围内操作。

对于那些需要频繁且快速写入操作及/或低功耗工作的应用而言,FM25L512的性能凌驾同类的非易失性存储器解决方案。这些应用包括从先进的数据采集 (该应用中读写寿命非常重要) 到要求严苛的工业控制 (该应用中较长得写入等待时间和较短得读写寿命会导致数据丢失) 等各种应用。与串行EEPROM 不同,FM25L512能以总线速度执行无等待写入操作,而且功耗更低。