东京，2006 年1月19日- 富士通株式会社近日宣布将建立一个新的晶圆厂，采用最先进的65纳米工艺技术和300毫米的晶圆大批量生产逻辑半导体。该工厂将建在位于日本中部三重县的富士通三重半导体工厂内，这将是该工厂第二个300毫米晶圆厂，以下称简称为“300毫米晶圆二厂”。通过建立新的晶圆厂，富士通不仅能够满足日益增长的对采用先进工艺生产的半导体的需求，更能基于其先进的技术继续提供最优化解决方案和高性能产品，继续成为客户可信赖的业务伙伴。

拥有双层洁净室结构的300毫米晶圆二厂计划在2006会计年度内建成（2006年4月至2007年3月），并将于2007年4月投入运营，预计于2007年7月起开始批量出货。

在至2007会计年度末的两年时间内，富士通将为新晶圆厂投入约1200亿日元，使月生产能力达到10,000片晶圆。公司还将在市场需求趋势预测的基础上分阶段追加投资。富士通希望该厂的最大月生产能力能达到25,000片晶圆。

300毫米晶圆一厂是在三重工厂建成的第一个300毫米晶圆厂，拥有采用90纳米技术大批量生产300毫米晶圆的生产线，于2005年4月起开始运营，其月生产能力将在2006会计年度达到15,000片晶圆。

富士通能够提供同时实现高速运行和低能耗的先进工艺技术，其晶体管技术、铜线和低介电常数（*1）工艺技术极具竞争力，受得了客户的一致好评。另外，富士通还凭借其令一次性成功完全运行（*2）成为可能的设计方法（*3）而大获成功。富士通正不断地与其全球技术伙伴进行磋商，并预期从2007会计年度开始，需求将大大地超过现在运营的300毫米晶圆一厂的生产能力。

300毫米晶圆二厂将拥有双层洁净室结构，可方便地扩大产能，它的建立将确保富士通能够向其客户稳定地提供先进的逻辑芯片。

300毫米晶圆二厂简介
1. 工艺技术：  65纳米和90纳米CMOS逻辑
2. 晶圆直径：  300毫米
3. 建筑特点：  抗震建筑;洁净室面积：24,000平方米（最大产能时）
4. 生产能力：  10,000片晶圆/月（2007会计年度投产），最大产能25,000片晶圆/月
5. 计划开业日期： 2007年4月

300毫米晶圆一厂简介
1. 工艺技术：  90纳米和65纳米CMOS逻辑
2. 晶圆 直径： 300毫米
3. 建筑特点：  抗震建筑;洁净室面积：12,000平方米
4. 生产能力：  15,000片晶圆/月（2006会计年度内）
5. 开业日期：        2005年4月

三重工厂简介
1. 地点：   日本三重县桑名市
2. 雇员：   约1,400名雇员（包括分公司）
3. 主要产品：  90纳米、130纳米和180纳米技术带上芯片（COT）、专用集成电路  （ASIC）、专用标准产品（ASSP）、单片机（MCU）
术语
*1. 低介电常数材料： 
指具有特定的较低介电常数的多层绝缘材料，可有效降低互连层间的电容，采用最先进的技术实现超高速运行和低能耗。

*2. 一次性成功完全运行：
先进的大规模集成电路设计方法，从最初的试验芯片开始，即可实现其完全功能性。

*3. 设计方法：
在很短的时间内设计最先进的大规模集成电路（LSI）的方法。