美国明尼阿波利斯（2006年2月9日） - FSI国际有限公司（Nasdaq: FSII）今日宣布：其PlatNiStrip™镍-铂去除工艺已经通过几家全球最大的芯片制造商验证,并且被他们应用在65nm技术器件的生产中。自2005年3月发布以来,FSI的PlatNiStrip工艺专门设计来为芯片制造商提供先进的自对准多晶硅化物结构(salicide formation),该项工艺已经引起了业界广泛的关注。

“客户们对我们能够在他们的制造生产中快速地实现该工艺印象深刻,因此他们现在正使用镍-铂去除工艺制造65nm 的产品,”FSI董事长兼首席执行官Don Mitchell先生说。“在FSI已有的平台上不断地提供并且快速加入先进的工艺能力,进一步巩固了我们在表面处理领域技术领导者和高性能价格比伙伴的行业地位。”

IC 制造厂商已经通过增加少量的铂来提高镍硅化物薄膜的热稳定性。但是,常用的去除未发生反应镍的办法,在选择性地去除未发生反应铂的时候是无效的,这样会在晶圆的表面留下了铂残留物。FSI的PlatNiStrip镍-铂去除工艺,是一种应用现场(point-of-use)配制混合酸的方案,能够同时去除镍和铂而没有残留物,同时对硅化物、氧化物和氮化物具有高度选择性,从而促成了镍-铂硅化物薄膜的整合。

晶圆厂的数据表明,客户采用PlatNiStrip工艺后实现了器件性能的显著提高,不仅使表面电阻率得到了降低,而且分布更加紧密,该项工艺可以通过采用业界标准的化学品和在标准的ZETA 喷雾清洗系统上高性能价格比地实现。

ZETA 是专为前段(FEOL)和后段(BOEL)、90nm及以下、200/300mm 晶圆批量喷雾清洗而设计。该系统使用离心喷雾结合通用化学品输送技术,可以以可控制的成分和温度实现化学品的制备并直接配送到晶圆表面上。ZETA 系统已被证明应用范围非常广泛,包括自对准多晶硅化物结构的钴和镍刻蚀、光刻胶去除、灰化后清洗、非超声波微粒去除和晶圆回收。