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Nikon和Tokyo Electron联手开发浸入式光刻技术

发布时间:2003年8月21日 点击次数:507
来源:半导体国际   作者:
 

  Nikon7月宣布和Tokyo Electron共同开发与曝光系统有关的液体沉浸曝光技术。自从2001年以来,这两个公司已经共享评估系统,以提高工艺性能。该新协议标志着它们的合作达到新的阶段。
  根据协议, Nikon将与在抗蚀剂涂料器(resist coater)/显影剂(developer)等方面拥有大量市场份额的Tokoy Electron在开发液体沉浸曝光技术方面共享各自的专长,以便在短时间内完成元素技术(element technologies)的开发,延长ArF曝光系统的使用寿命。

  Nikon7和Tokyo Electron将在2003年底验证这些元素技术,使其尽早进入批量生产,满足半导体产业对液体沉浸技术的需要,并在抗蚀剂材料方面进行合作,因为抗蚀剂是光刻工艺的关键,有助于促进液体沉浸技术的实际应用。


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