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国际整流器公司(IR)推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT,额定电流分50A、35A和20A三种。新器件的关断性能经特别改良,适用于电信和服务器系统中的大电流、高频开关电源电路。
全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能价格比,提供理想的性能和效率。这些IGBT与 HEXFRED二极管组合封装,性能高于功率MOSFET中的集成体二极管。新器件采用TO-247及TO-220封装。
IR中国及香港销售总监严国富表示："特别是在价格与性能同样重要的应用中,最新WARP2 IGBT器件是功率因数校正 (PFC) 及零电压开关 (ZVS) 应用系统的最佳选择。器件的通态损耗低于功率MOSFET,可创造更大效益,其拖尾电流极短,能有效工作于150kHz或以下频率。"
严国富先生称,IGBT的电流密度优于功率MOSFET,可减低器件数目,有助节省成本和改善功率密度。
全新WARP2 IGBT以IR的薄晶片技术制成,确保缩短少数载流子耗尽时间,加快关断过程。此外,器件的拖尾电流极短、关断切换损耗 (EOFF) 极低,可让设计人员实现更高工作频率。
WARP2 IGBT凭着更完善的开关性能,配合正温度系数特性和更低栅开通电荷,有效提高电流密度。若以并联模式操作,它们可以像功率MOSFET一样发挥极佳的电流均分性能。与功率MOSFET不同,它们的通态损耗能保持固定不变。
在TO-247封装内,全新IGBT能处理高达50A电流,电容量比采用相同封装的IR 600V MOSFET高出85%;若采用TO-220封装,则可处理高达20A电流,电容量比采用相同封装的IR 600V MOSFET高出18%。
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