联电宣布，顺利运用90纳米铜制造技术为客户代工产出芯片，使联电成为第一家跨入90纳米铜制造量产的晶圆代工业者。这是联电跨足晶圆代工业以来，制造技术首次超越台积电。台积电90纳米低介质 (Low K)及铜制造技术除自行研发外，也与飞利浦、意法半导体、摩托罗拉、巨积及NEC联合开发，将于今年上半年导入12寸晶圆厂，预计明年首计量产。